河北省高等学校科学技术研究指导项目(2011237)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 相关作者：蒋冰彭英才陈乙豪马蕾沈波更多>>
- 相关机构：北京大学河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性被引量：1
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变.
- 马蕾蒋冰陈乙豪沈波彭英才
- 关键词：H量子限制效应
