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教育部留学回国人员科研启动基金(082038)

作品数：3 被引量：4H指数：2
相关作者：姜辛张贵锋王丽春侯晓多更多>>
相关机构：大连理工大学更多>>
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相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇热丝
  • 2篇热丝法
  • 2篇热丝化学气相...
  • 2篇微结构
  • 2篇晶化率
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇薄膜微结构
  • 1篇镀铜
  • 1篇形貌
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体形貌
  • 1篇玻璃衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇大连理工大学

作者

  • 3篇侯晓多
  • 3篇王丽春
  • 3篇张贵锋
  • 3篇姜辛

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
热丝法低温制备多晶硅薄膜微结构的研究被引量：2
2007年
采用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜。利用XRD、拉曼光谱和原子力显微镜（AFM）研究了灯丝与衬底间距（5～10mm），灯丝温度（1800～1400℃）和衬底温度（320—205℃）对薄膜晶体取向、晶化率、晶粒尺寸以及形貌的影响规律。结果表明，随着热丝与衬底间距增加，多晶硅薄膜的晶化率和晶粒尺寸明显减小；随热丝温度的降低，薄膜的晶化率都出现了大致相同的规律：先不断增大后突然大幅减小。
王丽春张贵锋侯晓多姜辛
关键词：热丝化学气相沉积多晶硅薄膜晶化率晶体形貌
镀铜玻璃衬底上柱状多晶硅薄膜的制备被引量：2
2009年
采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等测试手段研究了灯丝与衬底间距（5～10mm）、灯丝温度（1800～1500℃）以及对应的衬底温度（在320～200℃变化）对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律。研究结果表明：在镀铜玻璃衬底上金属诱导生长的多晶硅薄膜具有较高的晶化率，较低的晶化温度，同时铜过渡层影响多晶硅薄膜的晶体学生长方向。
王丽春张贵锋侯晓多姜辛
关键词：多晶硅薄膜晶化率
金属Cu诱导层对热丝法制备多晶硅薄膜微结构的影响
2009年
采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在金属铜诱导层上成功制备出横向晶粒尺寸在1μm左右、垂直晶粒尺寸达20μm的柱状多晶硅薄膜,其晶化率在95%以上。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试手段研究了灯丝温度在1500～1800℃之间变化时,金属铜诱导层对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律。结果表明:金属铜诱导层的引入,在一定温度范围内改善了晶粒尺寸,改变了多晶硅薄膜的择优取向,降低了薄膜的晶化温度,提高了晶化率。
王丽春张贵锋侯晓多姜辛
关键词：多晶硅薄膜热丝化学气相沉积微结构
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