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国家重点基础研究发展计划(2009CB929203)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：张晓光王守国王琰韩秀峰张佳更多>>
相关机构：美国橡树岭国家实验室中国科学院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电阻
  • 1篇势垒
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇隧道结
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇TMR
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁性隧道结

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇美国橡树岭国...

作者

  • 1篇张佳
  • 1篇韩秀峰
  • 1篇王琰
  • 1篇王守国
  • 1篇张晓光

传媒

  • 1篇物理学进展

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究被引量：3
2009年
在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。
王琰张佳张晓光王守国韩秀峰
关键词：自旋电子学第一性原理计算
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