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铁电薄膜退火方法的研究: 以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法．针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较．激光低...; 田雪雁徐征; 关键词：快速退火激光退火; 文献传递

有机阱结构器件中能量传递的研究: 本论文从能量传递的影响因素入手,对有机阱结构器件的发光特性进行了讨论和研究。实验中利用真空蒸镀的方法制备了传统的单异质结器件 NFB(10 nm)/Alq(3 nm)和1个周期的Ⅱ型阱结构器件 NFB(5 nm)/Alq...; 朱海娜徐征赵谡玲黄金昭宋丹丹张福俊; 文献传递

稀土配合物有机电致发光器件中电致激基复合物发光性质的研究被引量：2: 2006年; 以稀土配合物Tb0.5Eu0.5(thienyltrifluroacetone)3-2,2-biphenyl(简称Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK∶Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Alq3/Al的OLED发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射和PVK在410 nm处的发光。此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰。通过改变不同的器件结构,分析研究了新的发光峰的性质,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物。; 王勇赵谡玲徐征袁广才赵德威; 关键词：电致发光配体稀土配合物

磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：4: 2009年; 利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。; 邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生; 关键词：磁控溅射傅里叶变换红外光谱

PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF PVK:Alq_3 BLEND FILMS STUDIED BY STEADY-STATE AND TIME-RESOLVED TRANSIENT PHOTOCURRENT SPECTRA: 2008年; The carrier transport properties of the blends of the hole transport material poly(N-vinylcarbazole) (PVK) and the electron transport material tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminumⅢ(Alq_3) are investigated at room temperature using steady-state and time-resolved transient photocurrent measurements as a function of doping concentration of Alq_3.Due to lower LUMO and higher HOMO energy level of Alq_3 than those of PVK,Alq_3 molecules may act as carrier trap states in PVK films at low concentration.However...; 候延冰

一种新型共掺杂稀土配合物Gd_(0.5)Eu_(0.5)(TTA)_3Dipy的电致发光特性被引量：8: 2007年; 制备了一类以α-噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为第一配体、2,2′-联吡啶(Dipy)为第二配体的共掺杂铕钆配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy。用其作为发光层材料制作了电致发光器件:ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al。讨论并证明了Gd3+与Eu3+之间存在F rster能量传递。研究了铕钆配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Gd3+的加入抑制了PVK自身的本征发光,促进了PVK到Eu3+的能量传递,得到了单色性很好的红光。; 宋林徐征赵谡玲吕玉光符雅丽刘然李远张敬畅; 关键词：电致发光

从无序到有序ZnO纳米棒的制备被引量：7: 2008年; 采用3种不同的方法在氧化铟锡玻璃衬底上沉积一层ZnO纳米晶薄膜,然后采用改进的水热法在制备有ZnO纳米晶薄膜的衬底上生长ZnO纳米棒,实现了纳米棒从无序到有序的生长。从XRD和SEM图可得,有序的纳米棒沿(002)择优取向,基本与衬底垂直,平均直径约为40nm。; 刘然章婷赵谡玲徐征张福俊李远宋林徐叙瑢; 关键词：ZNO纳米棒

基于在聚合物中掺杂染料DCJTB的白色有机电致发光器件被引量：3: 2008年; 将Alq3和DCJTB作为掺杂物与基质PVK按照不同比例混合共溶,旋涂成膜,制备了PVK∶Alq3∶DCJTB为发光层的结构为ITO/PVK∶Alq3∶DCJTB/BCP/Alq3/LiF/Al的器件,其中Alq3和BCP分别用作电子传输层和空穴阻挡层,PVK用作蓝光发光层和空穴传输层。保持PVK和DCJTB的质量比为100∶1不变,改变PVK和Alq3的质量比,当PVK和Alq3的质量比为20∶1时,得到了效果较好的白光。器件在电压为14V时,色坐标达到(0.33,0.36),在10～14V范围内变化甚微。; 张妍斐徐征张福俊王勇赵谡玲; 关键词：白光

MEH-PPV薄膜的放大自发发射特性被引量：3: 2008年; 研究了MEH-PPV薄膜的放大自发发射特性。当激发强度增加时,从样品边缘发射的光谱发生增益窄化现象并具有明显的阈值特性。我们发现随着薄膜厚度的增加,MEH-PPV薄膜的阈值有所降低,而其增益系数则随之增加。在150nm厚时测得最大净增益系数为25.03cm-1,最低阈值为2.2μJ/pulse。结果表明MEH-PPV是一种优良的激光和光放大材料。; 高瑞侯延冰于丹滕枫

并五苯基的有机薄膜晶体管特性的研究: 本文研究了有机薄膜晶体管(OTFT)的特性,并通过掩膜的方法制备出以并五苯为有源层的顶栅极 OTFT 器件,并五苯有源层的厚度为150 nm,复合绝缘层的厚度为300 nm (SiO为100 nm,SiN 为200 nm...; 袁广才徐征赵谡玲张福俊黄金昭黄豪黄金英徐叙瑢; 文献传递

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