教育部科学技术研究重点项目(02167)
- 作品数：8 被引量：47H指数：5
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- 相关机构：南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程动力工程及工程热物理电子电信更多>>
- 气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究被引量：14
- 2004年
- 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ;
- 张晓丹朱锋赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍
- 关键词：VHF-PECVD气压太阳能电池
- 本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究被引量：5
- 2005年
- 本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0. 51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;X射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF PECVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(Jsc=21mA/cm2, Voc=0. 46V, FF=51%, Area=0. 253cm2 )。
- 张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：化学气相沉积法微晶硅太阳能电池微晶硅薄膜
- VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池初步研究被引量：6
- 2004年
- 研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明:随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立叶变换红外(FTIR)测试表明制备的样品中含有一定量的氧,使得样品呈现弱n型;室温微区喇曼光谱测试分析得到样品的微晶化特征与IR的分析是一致的,用高斯函数对喇曼谱解谱分析定量得出了晶化程度;分析了H处理p/I界面对电池性能的影响;首次在国内用VHF-PECVD制备出效率达4.24%的微晶硅电池。
- 张晓丹朱锋赵颖薛俊明孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜傅立叶变换红外光谱
- 二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染被引量：7
- 2005年
- 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,不同本底真空中的氧污染实验结果表明 :微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系 ,因此要制备高质量的微晶硅材料 ,高的本底真空是必要条件 .
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- 关键词：二次离子质谱微晶硅薄膜
- P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用被引量：4
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/A l,厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%)。
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- 关键词：微晶硅太阳电池
- 高电导率P型微晶硅薄膜材料
- 本文对获得高电导率P型微晶硅薄膜材料进行了研究。当硅烷浓度(SC=SiH/(H+SiH))小于1%时,材料的晶化率和激活能大,电导率小:随着硅烷浓度的提高,材料的晶化率和激活能单调减小,电导率增大;SC>1%,材料的电导...
- 朱锋魏长春张晓丹孙建高艳涛赵颖耿新华
- 关键词：电导率激活能晶化率
- VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究被引量：7
- 2005年
- 采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大。
- 张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春魏长春孙建耿新华
- 关键词：微晶硅衬底温度
- 大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究
- 2004年
- 报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。文中介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层材料厚度和微结构、界面匹配、电极材料等因素对二极管正、反向电流特性的影响。
- 耿新华黄维海任慧志薛俊明张德坤孙建
- 关键词：开关比薄膜沉积技术三维集成电路只读存储器
- 薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响被引量：9
- 2006年
- 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253 cm2。
- 朱锋赵颖魏长春任慧智薛俊明张晓丹高艳涛张德坤孙建耿新华
- 关键词：微晶硅
