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国家自然科学基金(51002175)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:徐军范晓蒋先涛苏良碧更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇光谱
  • 2篇BI
  • 1篇散射
  • 1篇散射光
  • 1篇散射光谱
  • 1篇射线衍射
  • 1篇射线衍射分析
  • 1篇谱特性
  • 1篇谱性质
  • 1篇铋离子
  • 1篇钨酸
  • 1篇钨酸铅
  • 1篇钨酸铅晶体
  • 1篇离子
  • 1篇近红外
  • 1篇近红外发光
  • 1篇晶体
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇拉曼散射光谱

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇苏良碧
  • 1篇蒋先涛
  • 1篇范晓
  • 1篇徐军

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Study on photoluminescence of thermally treated Bi_(12)GeO_(20) and Mo:Bi_(12)GeO_(20) crystals被引量:1
2011年
Photoluminescence (PL) of Bi12GeO20 and Mo doped Bi12GeO20 (Mo: Bi12GeO20) crystals in visible and near-infrared (NIR) spectral regions were studied. X-ray diffraction analysis, absorption and Raman scattering spectra of these crystals were also measured. Pure Bi12GeO20 after annealing in N2 atmosphere at 450 oC and 550 °C show predominant emissions at about 745 and 1250 nm bands, while the emission peaks of Mo:Bi12GeO20 crystals untreated or after annealing in Ar at 300 °C are at around 538 and 1165 nm. The results suggest that annealing induces intrinsic luminescence of Bi in pure Bi12GeO20 at room temperature and Mo influences the luminescence centers of Bi12GeO20. The emission peaks of Bi12GeO20 and Mo: Bi12GeO20 probably owe to lower-valent Bi ions.
YU PingShengSU LiangBiTANG HuiLiGUO XinZHAO HengYuYANG QiuHongXU Jun
关键词:拉曼散射光谱射线衍射分析铋离子
Growth and spectroscopic characteristics of Nd-doped PbWO_4 crystal被引量:1
2012年
Nd-doped PbWO4 crystals are grown by using the modified Bridgman method.The spectroscopic properties of the crystals are investigated.The changes of the absorption band at 350 nm are discussed for samples annealed at 740℃ and 1040℃.The radiative lifetime of the 4 F 3/2 level is calculated by using the Judd-Ofelt theory according to the absorption spectrum of 0.5 at.% Nd-doped PbWO 4 crystal.The spontaneous Raman scattering properties of the crystals are analysed.
王庆国苏良碧李红军熊巍袁晖郑丽和徐晓东吴锋唐慧丽姜大朋徐军
关键词:钨酸铅晶体光谱特性JUDD-OFELT理论BRIDGMAN法光谱性质
Bi和Nd共掺CsI晶体近红外宽带发光性能
2013年
采用坩埚下降法生长了Bi和Nd共掺的CsI晶体。X射线衍射分析表明,Bi和Nd共掺并不影响晶体结构,其空间群为Pm3m。通过测试晶体的实际掺杂浓度发现,共掺导致了Bi掺杂浓度的降低。对晶体进行退火处理,并测试了晶体的吸收光谱和发射光谱。结果表明:Bi和Nd共掺能够提高晶体中带电子色心V′Cs的浓度,经高温退火后能获得较多的低价态的Bi离子发光团簇,从而提高了晶体的近红外宽带发光性能。晶体的Raman光谱显示,掺Bi的CsI晶体近红外宽带发光中心的2个特征Raman峰分别位于164和176cm–1处。此外,还提出CsI晶体中发光中心Bi+和低价态团簇Bi2+的形成离不开高价态Bi离子的靠拢团聚作用。
范晓苏良碧徐军蒋先涛
关键词:近红外发光共掺
共1页<1>
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