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国家重点基础研究发展计划(G2000036606)
国家重点基础研究发展计划(G2000036606)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：黄永箴于丽娟金潮渊陈沁刘瑞东更多>>
- 相关机构：中国科学院兰州大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- (111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
- 2004年
- 为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过扫描电子显微镜 (SEM )和光荧光 (PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现 ,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大。最佳V/Ш比和温度分别为 4 0 0和 6 2 5℃。
- 刘瑞东于丽娟芦秀玲黄永箴张福甲
- 关键词：金属有机化学气相淀积表面形貌半导体材料
- 1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制
- 2006年
- 研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。
- 黄永箴胡永红于丽娟陈沁谭满清马骁宇
- 关键词：INGAASP增益抗反射膜
- 增益钳制半导体光放大器波长转换的研究被引量：2
- 2004年
- 数值模拟了增益钳制SOA(GC SOA)的波长转换过程,分析了GC SOA实现波长转换的原理。首次发现了GC SOA波长转换中类似接通延迟的现象,这种现象将限制GC SOA在高速波长转换中的应用。
- 金潮渊黄永箴
- 关键词：波长转换
