重庆市自然科学基金(CSTC2006BB2364)
- 作品数：7 被引量：17H指数：2
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- 4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析被引量：1
- 2008年
- 在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型通过对肖特基二极管的正向特性在300～500K的温度范围内的电流电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作。
- 申君君王巍王玉青
- 关键词：4H-碳化硅肖特基二极管温度传感器
- 基于遗传算法的N路双频功率分配器设计
- 2009年
- 提出了采用遗传算法对N路双频功率分配器进行优化设计。N路双频功率分配器的结构由N个两节阻抗变换器和N个隔离电阻组成。首先,对功率分配器电路的理想传输线模型进行偶-奇模分析,并在遗传算法中加入最优保持操作、变概率的交叉和变异操作,解决遗传算法早熟收敛的问题,避免复杂的公式推导,快速、高效地得到优化结果。使用射频仿真软件ADS,对得到的器件结构参数进行仿真分析。结果显示,所有端口均具有良好的匹配,隔离度满足应用要求。
- 王巍李文宬唐政维陈丹李凯
- 关键词：遗传算法优化设计
- 双阈值映射自适应红外图像处理算法被引量：7
- 2010年
- 由于传统直方图均衡(HE)算法和灰度变换算法的局限,提出了一种基于直方图的双阈值映射(BTM)增强算法。该算法通过对原始图像的直方图进行双阈值映射和自适应增强处理,对图像灰度级进行重新分配,减少冗余灰度级,有效地拓宽了目标部分的动态范围,既提高了目标与背景间的对比度,又突出了目标的细节层次。所提出的算法可以有效增强红外图像中目标与背景之间的对比度,拓宽目标的动态范围。仿真结果表明:该算法是一种非常有效的红外图像增强算法。
- 王巍赵俊鹏杜治芸罗元朱继华
- 关键词：红外图像直方图均衡自适应增强
- 6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究被引量：1
- 2009年
- 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异。
- 王巍王玉青申君君唐政维秘俊杰
- 关键词：碳化硅埋沟MOSFET界面态
- 采用遗传算法的双频Wilkinson功分器的优化设计被引量：8
- 2010年
- 采用遗传算法对双频等分Wilkinson功率分配器进行优化设计.双频等分Wilkinson功率分配器由两节阻抗变换器和两个隔离电阻组成.基于理想传输线模型,采用偶模/奇模分析便可得到功率分配器的参数设计方程.在此基础上,采用遗传算法进行优化设计,加入了最优保持操作、变概率的交叉和变异操作,解决了遗传算法的早熟收敛问题.使用射频仿真软件ADS对优化后的双频等分Wilkinson功率分配器进行仿真分析,结果表明:在两个给定的频率上,所有端口有着良好的匹配,隔离度大于40 dB.经优化设计后的功率分配器在两个频率上都具有良好的性能.
- 王巍李文宬兰中文陈丹张凯
- 关键词：遗传算法优化设计
- MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究
- 2008年
- 在结合考虑6H—SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上，研究了MIS氢敏传感器的敏感机理，建立了传感器模型，具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流一电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真，结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素，并确定了在300℃时传感器最佳绝缘层厚度为2—2．35nm，从而有效地提高了传感器灵敏度。
- 申君君王巍王玉青
- 关键词：6H-SIC肖特基二极管氢敏传感器
- 杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
- 2010年
- 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。
- 王巍代作海王晓磊唐政维徐洋王平
- 关键词：泊松方程气体传感器
