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江西省光电子与通信重点实验室开放基金(2004002)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：薛琴李晓兰王建秋王伟吴闰生更多>>
相关机构：江西师范大学更多>>
发文基金：江西省光电子与通信重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇非晶
  • 1篇PLD
  • 1篇SIO
  • 1篇XRD
  • 1篇锗
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇GAN材料
  • 1篇沉积温度

机构

  • 2篇江西师范大学

作者

  • 1篇王建秋
  • 1篇吴闰生
  • 1篇李晓兰
  • 1篇薛琴
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇江西科学
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用脉冲激光沉积技术制备与分析嵌入非晶SiO_2中的锗纳米粒子
2008年
介绍了Ge纳米粒子的特性,及利用脉冲激光沉积系统(PLD)制备Ge纳米粒子嵌入非晶SiO2薄膜中的方法、理论依据和工艺条件及结果。X射线衍射及晶体分析软件确定了锗纳米粒子在600°C中退火时的晶格常数变小而衍射强度增加,其晶格常数减小可能是由于锗的周围氧化生成氧化锗壳层包围并挤压Ge纳米粒子所致。
吴闰生王伟
关键词：XRD
脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜被引量：4
2008年
采用脉冲激光沉积技术,在Al2O3衬底上生长GaN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响。研究表明,在750℃的沉积温度时,GaN薄膜的结晶质量较高;在20 Pa以下的沉积气压下,GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。
李晓兰薛琴王建秋
关键词：GAN材料沉积温度
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共1页<1>
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