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国家重点基础研究发展计划(G2000028201-1)

作品数:7 被引量:2H指数:1
相关作者:陈光华朱秀红胡跃辉阴生毅荣延栋更多>>
相关机构:北京工业大学西北大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 11篇非晶硅
  • 10篇A-SI:H
  • 9篇氢化非晶硅
  • 9篇非晶
  • 6篇光敏性
  • 5篇氢化非晶硅薄...
  • 5篇光电
  • 5篇硅薄膜
  • 5篇非晶硅薄膜
  • 5篇A-SI:H...
  • 5篇CVD法
  • 4篇氢含量
  • 2篇电特性
  • 2篇热丝
  • 2篇光电特性
  • 2篇红外
  • 2篇ECR
  • 2篇ECR-CV...
  • 1篇稳定性
  • 1篇稀释比

机构

  • 13篇北京工业大学
  • 2篇兰州大学
  • 1篇西北大学

作者

  • 11篇陈光华
  • 10篇胡跃辉
  • 9篇朱秀红
  • 8篇阴生毅
  • 6篇周怀恩
  • 6篇荣延栋
  • 4篇宋雪梅
  • 4篇邓金祥
  • 4篇李瀛
  • 3篇张文理
  • 2篇吴越颖
  • 2篇高卓
  • 2篇王青
  • 2篇马占杰
  • 2篇何斌
  • 1篇刘毅
  • 1篇郑茂盛
  • 1篇马占洁

传媒

  • 6篇功能材料
  • 5篇第五届中国功...
  • 2篇TFC’05...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2005
  • 10篇2004
7 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素
氢化非晶硅薄膜作为一种新型的光伏功能材料,已被广泛地应用于大面积太阳能电池中,成为当前重要的绿色能源。但由于存在SW效应,制约了它的进一步发展。因此人们都在致力于研究影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素。本文对此也进行了...
马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
文献传递
微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收...
李瀛刘毅阴生毅胡跃辉宋雪梅邓金祥朱秀红陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量
文献传递
MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着...
高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅薄膜光敏性
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
文献传递
Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films被引量:2
2005年
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films with high and same order of magnitude photosensitivity (-10^5) but different stability were prepared by using microwave electron cyclotron resonance chemical vapour deposition system under the different deposition conditions. It was proposed that there was no direct correlation between the photosensitivity and the hydrogen content (CH) as well as H-Si bonding configurations, but for the stability, they were the critical factors. The experimental results indicated that higher substrate temperature, hydrogen dilution ratio and lower deposition rate played an important role in improving the microstructure of a-Si:H films. We used hydrogen elimination model to explain our experimental results.
朱秀红陈光华张文理丁毅马占洁胡跃辉何斌荣延栋
关键词:PHOTOSENSITIVITYSTABILITY
采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜
氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料,而且作为薄膜场效应晶体管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展。高光敏性及高稳定型的a-Si∶H薄膜的制备,始终是硅基薄膜太阳电池研究和应用中的关...
张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅邓金祥
文献传递
微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究
2004年
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
李瀛刘毅阴生毅胡跃辉宋雪梅邓金祥朱秀红陈光华
关键词:氢化非晶硅CVD氢含量
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
2004年
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
2004年
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
2004年
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
共2页<12>
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