“上海－应用材料研究与发展”基金(0425)
- 作品数：9 被引量：27H指数：3
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- 电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析被引量：3
- 2005年
- 本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性.
- 唐长文何捷菅洪彦张海青闵昊
- 关键词：MOS管可变电容压控振荡器
- 一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下):电路设计和实现被引量：3
- 2005年
- 为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0·25μm1P5MCMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8·6mW.
- 唐长文何捷闵昊
- 关键词：阶跃可变电容MOS管可变电容电感电容压控振荡器
- 一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计被引量：5
- 2006年
- 介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法，采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献．芯片采用TSMC0．25μm1P5M RF CMOS工艺实现．测试结果表明：在50-860MHz工作频率内，电压增益约为13．4dB；噪声系数在2．4-3．5dB之间；增益1dB压缩点为-6．7dBm；输入参考三阶交调点为3．3dBm．在2．5V直流电压下测得的功耗约为30mW．
- 廖友春唐长文闵昊
- 关键词：宽带低噪声放大器噪声系数噪声抵消
- 中心抽头差分电感的等效模型和参数提取被引量：8
- 2006年
- 提出了中心抽头差分电感的中心抽头等效模型,对其差分应用时的单端和差分阻抗进行推导,利用两端口S参数测试提取出等效电阻值、等效电感值和品质因数.在0·35μm1P4M射频工艺上设计并实现一个中心抽头的差分叠层电感,使用去嵌入测试的两端口S参数进行模型验证.实验测试结果表明,在自激振荡频率以内等效模型和测试结果非常吻合.
- 卢磊周锋唐长文闵昊王俊宇
- 关键词：S参数
- 3DES IP的小面积实现被引量：3
- 2006年
- 论文介绍了3DES算法的流程,并给出了三种硬件的实现方式。在三种实现方式中,详细描述了一种小面积的硬件实现方法,并基于Xilinx的FPGA实现。小面积实现方法占用资源小,适合于低端加密运用。
- 孙坚周玉洁
- 关键词：DES加密算法流水线FPGA
- CMOS集成频率综合器的稳定性补偿(英文)被引量：1
- 2005年
- 通过分析频率综合器的完整三阶闭环s域模型，同时采用根轨迹分析技术，定量分析了工艺、电压和温度引起的环路参数变化对频率综合器稳定性的影响，并提出变化裕量的概念来进行稳定性分析和参数设计．为了获得更加稳定的系统，在电荷泵中设计了结构简单的电流单元用于补偿额外的参数变化，并采用线性压控增益的VCO来减小参数的变化．最后设计了一个分辨率为250kHz，频率范围为1～1．05GHz的集成频率综合器来验证上述的分析和设计方法．
- 何捷唐长文闵昊洪志良
- 关键词：频率综合器环路参数稳定性
- 一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(上):调谐特性的理论分析被引量：4
- 2005年
- 针对采用阶跃可变电容的电感电容压控振荡器电路,本文提出了一种振荡器调谐特性的时域分析方法———周期计算技术.通过对电感电容谐振回路中电感的IV曲线分析,详细地阐述了阶跃可变电容能够实现线性压控的物理机理和本质.对差分调谐电感电容压控振荡器的调谐特性也进行了详细的分析.SPICE电路仿真验证了调谐特性理论分析的正确性.
- 唐长文何捷闵昊
- 关键词：阶跃可变电容MOS管可变电容电感电容压控振荡器
- 可缩放的开路通路地屏蔽电感在片测试结构去嵌入方法被引量：1
- 2005年
- 建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌入结构又大大增加芯片面积的问题,首次提出针对该信号线寄生参量的按比例缩放地屏蔽开路通路测试结构去嵌入解决方案.使用0.35μm两层多晶硅、四层互连线的CMOS工艺电感流片验证了该方法的有效性.
- 菅洪彦唐珏唐长文何捷闵昊
- 关键词：片上电感在片测试
- 精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器(英文)被引量：1
- 2005年
- 在0 .35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1 .08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率电压调谐曲线与实验结果吻合得很好.在电源电压3 .3V下,消耗电流3 .1mA,压控振荡器的相位噪声在10kHz 频偏处为- 82 .2dBc/Hz.芯片面积为0 .86mm×0 .82mm.
- 唐长文何捷菅洪彦闵昊
- 关键词：MOS管可变电容压控振荡器
