中央高校基本科研业务费专项资金(1095021030)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 纳米银六角阵列在掺氧氮化硅中的局域表面等离激元共振特性仿真
- 2015年
- 通过COMSOL Multiphysics和Lumerical FDTD solution对不同尺寸纳米银六角阵列在非晶态掺氧氮化硅(a-SiN_x:O)介质中的局域表面等离激元共振(LSPR)特性进行仿真,计算结果表明半径为25 nm的纳米银六角阵列形成的局域表面等离激元(LSP)与厚度为70 nm的a-SiN_x:O的蓝光发射(460 nm)的共振效果最为显著,随着纳米银颗粒尺寸的增大其消光共振峰红移.在460 nm波长激发下半径为25 nm的纳米银阵列在a-SiN_x:O中的极化强度和表面极化电荷的分布模拟证明了该阵列在460 nm激发下形成的LSP为偶极子极化模式,通过对该尺寸的纳米银阵列的LSP在a-SiN_x:O中的最强垂直辐射空间计算,获得了银颗粒上方a-SiN_x:O的最佳厚度为30 nm,仿真结果对硅基蓝光发射器件(450-460 nm)的设计提供了重要的理论参考.
- 张文平马忠元徐骏徐岭李伟陈坤基黄信凡冯端
- SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究被引量：1
- 2014年
- 采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.
- 任圣马忠元江小帆王越飞夏国银陈坤基黄信凡徐骏徐岭李伟冯端
- 关键词：SIOX薄膜
