博士科研启动基金(06XLB008)
- 作品数：5 被引量：15H指数：3
- 相关作者：苑进社潘德芳刘颖丹于国浩王明月更多>>
- 相关机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程一般工业技术更多>>
- PECVD法制备类金刚石薄膜结构和表面形貌分析被引量：1
- 2010年
- 以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜。利用拉曼(Raman)光谱仪与原子力显微镜(AFM)对其结构与表面形貌进行了表征。结果表明:所制备的DLC薄膜是含sp3和sp2混合键的非晶态碳膜,其表面均匀、光滑、致密;且随着射频功率的提高,薄膜的平均晶粒直径由8.0nm降为4.2nm,粗糙度由2.2nm减为0.9nm。
- 潘德芳苑进社秦国平刘颖丹
- 关键词：PECVD法
- PECVD制备类金刚石薄膜的光学特性被引量：4
- 2011年
- 在室温条件下利用射频等离子增强化学气相沉积技术在Si衬底和玻璃沉底上制备了类金刚石薄膜。通过对Si衬底生长的DLC薄膜的反射光谱分析发现DLC薄膜具有一定的减反射效果。玻璃衬底上制备的DLC薄膜的透射光谱分析表明制备的DLC薄膜在可见光区具有一定的增透作用。理论分析认为DLC薄膜透光性能主要与薄膜的sp3键的百分含量有关,当sp3键含量高时,光学透过性好,当sp3键含量低时,光学透过性差。DLC薄膜在He-Cd脉冲光激发下PL谱分析发现DLC薄膜的发光峰为460 nm,在该条件下制备的DLC薄膜光学带宽是2.7eV,认为DLC薄膜发光主要是通过sp2原子团簇中电子空穴对的辐射复合而完成。
- 潘德芳苑进社
- 关键词：类金刚石薄膜反射光谱透射光谱PL谱
- MOVPE生长GaN薄膜的光致黄带发光与激发光源的相关性被引量：4
- 2009年
- 用四种不同光源作为激发光源,研究了蓝宝石衬底金属有机物汽相外延方法生长的氮化镓薄膜的光致发光特性。结果发现用连续光作为激发光源时,光致发光谱中除出现365nm的带边发射峰外,同时观察到中心波长位于约550nm的较宽黄带发光;而用脉冲光作为激发光源时其发光光谱主要是365nm附近的带边发光峰,未观察到黄带发光。氮化镓薄膜的光致发光特性依赖于所用的激发光源性质。
- 王明月苑进社于国浩
- 关键词：GAN薄膜光致发光光谱连续光源
- 基于反射光谱的In_xGa_(1-x)N半导体薄膜厚度测量被引量：3
- 2009年
- 氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长的铟镓氮(InGaN)半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4.42%。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。
- 刘颖丹苑进社潘德芳
- 关键词：反射光谱
- Si掺杂金红石TiO_2光学特性的第一性原理研究被引量：3
- 2009年
- TiO2是一种重要的n型金属氧化物半导体功能材料。近年来的实验与理论研究表明,运用杂质掺入来减小TiO2禁带宽度是提高其活性的一种有效办法。本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法,从理论上研究了S i掺杂金红石相TiO2的电子结构和光学特性。通过能带结构、态密度及电荷布居的分析发现,Si原子的引入使Si-Ti的键长发生明显的变化,近邻氧原子有靠近硅原子的趋势而近邻钛原子有远离硅原子的趋势。半导体禁带宽度没有明显变化,但是禁带中产生了一个杂质能级,该杂质能级主要是由Si的3p电子和Ti的3d电子杂化引起的。因此,Si掺杂能使材料的宏观特性表现为电子激发能量减小,材料活性增强,响应可见光范围达到480 nm左右。
- 冯庆
- 关键词：TIO2第一性原理金红石
