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中国博士后科学基金(2012M510951)

作品数:3 被引量:9H指数:1
相关作者:李兴冀刘超铭杨剑群何世禹肖立伊更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇偏置
  • 2篇偏置条件
  • 1篇低剂量
  • 1篇低剂量率
  • 1篇低能
  • 1篇低能电子
  • 1篇电离辐射
  • 1篇电离辐射损伤
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇数字转换器
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇转换器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米金
  • 1篇纳米金属
  • 1篇金属
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇晶体管

机构

  • 2篇哈尔滨工业大...

作者

  • 2篇何世禹
  • 2篇杨剑群
  • 2篇刘超铭
  • 2篇李兴冀
  • 1篇兰慕杰
  • 1篇孙中亮
  • 1篇刘海
  • 1篇肖立伊
  • 1篇马国亮

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 3篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
晶粒尺寸对1 MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响被引量:1
2013年
采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni,并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征.利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源,研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失.通过辐照过程中放置的吸收剂量片来准确表征其电子的能量沉积.结果表明,晶粒尺寸对高能电子在材料中的能量沉积有明显的影响, 1 MeV电子在穿过一定厚度的金属Ni后,在晶粒尺寸细小的纳米晶Ni中测得总的吸收剂量较大,证明了高能电子在纳米材料中的总能量沉积较小,从而表现出纳米材料抗辐照的优异性能.
马国亮李兴冀刘海刘超铭杨剑群何世禹
关键词:高能电子纳米金属
Effect of ionizing radiation on dual 8-bit analog-to-digital converters (AD9058) with various dose rates and bias conditions被引量:1
2013年
The radiation effects on several properties (reference voltage, digital output logic voltage, and supply current) of dual 8-bit analog-to-digital (A/D) converters (AD9058) under various biased conditions are investigated in this paper. Gamma ray and 10-MeV proton irradiation are selected for a detailed evaluation and comparison. Based on the measurement results induced by the gamma ray with various dose rates, the devices exhibit enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) under zero and working bias conditions. Meanwhile, it is obvious that the ELDRS is more severe under the working bias condition than under the zero bias condition. The degradation of AD9058 does not display obvious ELDRS during 10-MeV proton irradiation with the selected flux.
李兴冀刘超铭孙中亮肖立伊何世禹
关键词:数字转换器偏置条件低剂量率质子辐照
偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究被引量:7
2013年
本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大;发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小;发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.
李兴冀兰慕杰刘超铭杨剑群孙中亮肖立伊何世禹
关键词:双极晶体管低能电子电离辐射
共1页<1>
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