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“高档数控机床与基础制造装备”科技重大专项(2009ZX04012-023-04)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：金应荣李孔军赵广彬刘锦云更多>>
相关机构：西华大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇渗氮
  • 1篇输运
  • 1篇离子
  • 1篇离子渗
  • 1篇离子渗氮
  • 1篇活性
  • 1篇活性屏离子渗...
  • 1篇氮

机构

  • 1篇西华大学

作者

  • 1篇刘锦云
  • 1篇赵广彬
  • 1篇李孔军
  • 1篇金应荣

传媒

  • 1篇西华大学学报...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
活性屏离子氮化过程中氮的输运机理分析被引量：2
2010年
将活性屏离子氮化过程中活性氮原子的输运方式分为无输运介质的扩散输运与有输运介质的吸附输运两种,指出扩散输运是活性氮原子的重要输运方式之一。此外,还重新分析了文献报道的活性屏离子氮化实验结果,阐述了活性屏材质等因素对氮化效果的影响。
金应荣刘锦云李孔军赵广彬
关键词：活性屏离子渗氮
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