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上海市自然科学基金(07ZR14129)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:褚君浩孟祥建王建禄黄志明高艳卿更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇英文
  • 1篇低介电常数
  • 1篇圆偏振
  • 1篇圆偏振光
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振光
  • 1篇偏振光谱
  • 1篇热释电
  • 1篇椭圆偏振
  • 1篇椭圆偏振光
  • 1篇椭圆偏振光谱
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇朗缪尔
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇LB技术

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇王建禄
  • 2篇孟祥建
  • 2篇褚君浩
  • 1篇孙璟兰
  • 1篇刘浦锋
  • 1篇沈宏
  • 1篇高艳卿
  • 1篇黄志明
  • 1篇田莉

传媒

  • 2篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
LB法制备的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究(英文)被引量:1
2010年
运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯(P(VDF-TrFE))共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为(110).运用波长范围为300-1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度(θ=75°和85°)测得的Ψ和Δ数据进行了拟合.获得了P(VDF-TrFE)薄膜的光学参数n,k,α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm^2,矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电-介电相变以及β弛豫.
王建禄孟祥建高艳卿黄志明沈宏孙璟兰褚君浩
关键词:LB技术椭圆偏振光谱电学特性
朗缪尔铁电聚合物薄膜的电学特性:高热释电系数和低介电常数(英文)
2009年
研究了利用朗缪尔技术(LB)生长在柔性基底上的聚偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))薄膜的电学性质.通过测量相对介电常数和热释电系数,发现薄膜在室温1kHz时的优值因子达到1.4 Pa-1/2.这表明利用LB技术生长的P(VDF-TrFE)薄膜是热释电探测器的优良候选材料.优值因子的提高可能来源于LB薄膜的良好结晶性和分子链在平面内的高度有序性.
刘浦锋王建禄田莉孟祥建褚君浩
共1页<1>
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