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牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：2: 2011年; 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.; 王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益; 关键词：氮化镓

外延片在线弯曲测量仪的研制: 由于现有商用在线弯曲测量仪的局限性,为了能更好的了解图形Si衬底GaN外延生长过程中的应力变化,我们设计制造了在线弯曲测量仪,并得到了生长过程中外延片的弯曲变化。本文介绍了仪器的测量原理,硬件和软件的系统结构,发现整个测...; 刘苾雨方文卿刘军林姜乐; 关键词：SI衬底应力 GAN; 文献传递

SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响被引量：3: 2011年; 研制了4种不同表面钝化类型Si衬底GaN基绿光LED,分别标记为样品A、B、C、D。样品A无钝化层,样品B为台面SiON钝化,样品C为侧面SiON钝化,样品D为台面和侧面均钝化。将4种样品进行了常温60 mA(电流密度312 A/cm2)下168 h的加速老化,并对比了老化前后的I-V和光衰等特性。结果表明:侧边的SiON钝化层可有效抑制有源区内非辐射复合缺陷的增加,从而有效降低器件老化后的漏电流和光衰。与台面上的SiON相比,侧边的SiON对钝化起到了决定性作用。; 邱虹刘军林王立江风益; 关键词：SION SI衬底光衰

图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1: 2015年; 研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前后LED薄膜断面弯曲状况的变化.研究结果表明:1)去除硅衬底后,自由支撑的LED薄膜朝衬底方向呈柱面弯曲状态,且相邻图形的柱面弯曲方向不一致,当进一步去除AlN缓冲层后薄膜会由弯曲变为平整;2)LED薄膜在去除硅衬底前后同一图形内不同位置的PL谱具有显著差异,而当去除AlN缓冲层后不同位置的PL谱会基本趋于一致;LED薄膜每一位置的PL谱在去除硅衬底后均出现明显红移,进一步去除AlN缓冲层后PL谱出现程度不一的微小蓝移;3)自由支撑的LED薄膜去除AlN缓冲层后,PL光强随激光激发密度变化的线性关系增强,光衰减得到改善.; 张超宇熊传兵汤英文黄斌斌黄基锋王光绪刘军林江风益; 关键词：氮化镓发光二极管光致发光

硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究: 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN单量子阱(SQW)绿光材料,并制备成n面向上(Pt基反射镜、无表面粗化)的垂直结构发光二极管(LED),研究了主波长(WLD)分别为51...; 王光绪熊传兵刘彦松程海英刘军林江风益; 关键词：GAN 绿光LED 硅衬底单量子阱量子效率; 文献传递

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