教育部科学技术研究重大项目(02167)
- 作品数：3 被引量：21H指数：2
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- 发文基金：国家重点基础研究发展计划教育部科学技术研究重大项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- 微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱
- 2005年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶 硅薄膜材料。光发射谱(OES)测量技术对等离子体辉光进行在线监测、分析,能够对等离子体中的生成物进行 判别。实验表明,随着硅烷浓度的增加,等离子体中SiH*、Hβ*、Hα*和H2*缓慢增大,而Hα*／SiH*单调下降; 随着辉光功率的增大,Hα*迅速增大,而SiH*、Hβ*和H2*趋于饱和,Hα*／SiH*单调上升;等离子体的辉光强度 主要跟SiH、Hβ*和H2*数量成正比。
- 朱锋赵颖魏长春孙建王岩宋红耿新华
- 关键词：RF-PECVD微晶硅OES等离子体
- 氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题被引量：4
- 2003年
- 采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明:不同氧污染条件下制备所制备μc-Si:H薄膜中,氧以不同的键合模式存在.氧污染程度较低时,氧主要表现为O-O与O-H键合;氧污染严重时,则以Si-O键合占主导.通过Raman光谱、电导率与激活能的测量进一步发现:μc-Si:H薄膜的结构特性与电学特性随沉积过程中氧污染程度不同发生显著的变化,而且这种变化不同于氧污染对a-Si:H薄膜的影响.
- 杨恢东
- 关键词：氢化微晶硅薄膜
- 射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究被引量：21
- 2003年
- 通过对RF-PECVD技术沉积氢化非晶/微晶硅(a-Si:H/μc-Si:H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH*、IHα)的变化规律。结果表明:随着SiH4浓度增大,IsiH*单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3～5%的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征和IHβ而IHα发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40～75sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视。
- 杨恢东吴春亚朱锋麦耀华张晓丹赵颖耿新华熊绍珍
- 关键词：射频辉光放电OES
