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GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计被引量：3: 2008年; 采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。; 刘盛张永刚; 关键词：量子阱结构半导体激光器带间跃迁

短腔长单模量子级联激光器: 2006年; 报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.; 刘峰奇郭瑜李路邵晔刘俊岐路秀真王占国

InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究被引量：4: 2005年; 研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。; 唐田张永刚郑燕兰李爱珍; 关键词：INGAASSB 分子束外延多量子阱光致发光

9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化(英文): 2007年; 通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9·0μmGaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.; 李路刘峰奇邵烨刘俊岐王占国; 关键词：量子级联激光器转移矩阵法有效折射率法

InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计被引量：5: 2004年; 系统地研究了波长为 2 7μm的InGaAsSb AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计 .分别用含应变势的 6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构 ,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解 ,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱 .研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元 ,而是粒子数反转程度 ,尤其是空穴填充HH1子带的概率 .增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益 .前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量 ;后者拉大了价带子带间距 ,尽管它同时略微增加了空穴有效质量 .这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降低 ,提高了空穴在HH1子带的填充概率 ,最终提高了量子阱的增益 .所得结论与已有的实验报道相符 .; 徐刚毅李爱珍; 关键词：量子阱激光器增益谱价带薛定谔方程泊松方程

室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器(英文): 2005年; 利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导激光器,室温最大输出功率为单腔面45mW.; 路秀真刘峰奇刘俊岐金鹏王占国; 关键词：量子级联激光器分子束外延激光器性能

半导体激光器的热场分析及热特性表征被引量：8: 2004年; 基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征 ,实测与模拟所得结果相当吻合。; 张永刚何友军南矿军李爱珍; 关键词：半导体激光器热阻有限元

InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计被引量：5: 2004年; 　采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作23μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。; 唐田张永刚郑燕兰李爱珍; 关键词：激光器锑化物

气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)被引量：1: 2007年; 研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs全组份范囲内,自由载流子浓度隨Al组份从0至1呈“V”形变化,在X=0.38处呈最低点.在x>0.4之后,AlxGa1-xAs的电子迁移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.; 李华李爱珍张永刚齐鸣; 关键词：气态源分子束外延 ALGAAS 电学性质

MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制被引量：5: 2004年; 基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。; 唐田张永刚郑燕兰唐雄心李爱珍; 关键词：INGAASSB

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