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教育部重点实验室开放基金(K040119)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：白宣羽徐可为范多旺汪渊更多>>
相关机构：西安交通大学更多>>
发文基金：教育部重点实验室开放基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电路
  • 2篇阻挡层
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇互连
  • 2篇集成电路
  • 2篇铜
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电阻率
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压入
  • 1篇非晶
  • 1篇ZR
  • 1篇ZRN

机构

  • 3篇西安交通大学
  • 2篇兰州交通大学

作者

  • 3篇白宣羽
  • 1篇汪渊
  • 1篇范多旺
  • 1篇徐可为

传媒

  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇薄膜技术学术...

年份

  • 3篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展被引量：1
2004年
本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.
白宣羽汪渊徐可为范多旺
关键词：铜互连扩散阻挡层
Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点。由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻。为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡...
白宣羽汪渊徐可为范多旺
关键词：非晶电阻率纳米压入
文献传递
集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展
本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状。介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点。总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点。
白宣羽汪渊徐可为范多旺
关键词：铜互连扩散阻挡层
文献传递
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