河北省教育厅科学技术研究计划(2009318)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：蔡莉莉陈贵锋冯翠菊李养贤更多>>
- 相关机构：华北科技学院河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科学技术研究计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响被引量：3
- 2013年
- 对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显。对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复。而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联。
- 蔡莉莉冯翠菊陈贵锋
- 关键词：电子辐照少子寿命辐照缺陷电阻率
- 快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响被引量：1
- 2010年
- 对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄。当RTP温度达到1280℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑。
- 蔡莉莉陈贵锋李养贤
- 关键词：硅单晶电子辐照氧沉淀
