您的位置: 专家智库 > >

陕西省教育厅科研计划项目(11JK0916)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:苗瑞霞赵萍刘维红汤晓燕更多>>
相关机构:西安邮电大学西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇SIC
  • 2篇拉曼
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇散射
  • 1篇位错
  • 1篇温度
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇光谱
  • 1篇N型

机构

  • 3篇西安邮电大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 3篇苗瑞霞
  • 1篇汤晓燕
  • 1篇刘维红
  • 1篇赵萍

传媒

  • 2篇科技创新导报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
N型4H-SiC低温拉曼光谱特性被引量:1
2014年
利用拉曼散射技术对N型4H-SiC单晶材料进行了30~300K温度范围的光谱测量。实验结果表明,随着温度的升高,N型4H-SiC单晶材料的拉曼峰峰位向低波数方向移动,峰宽逐渐增宽。分析认为,晶格振动随着温度的升高而随之加剧,其振动恢复力会逐渐减小,使振动频率降低;原子相对运动会随温度的升高而加剧,使得原子之间及晶胞之间的相互作用减弱,致使声学模和光学模皆出现红移现象。随着温度的升高,峰宽逐渐增宽。这是由于随着温度的升高声子数逐渐增加,增加的声子进一步增加了散射概率,从而降低了声子的平均寿命,而声子的平均寿命与峰宽成反比,因此随着温度的升高峰宽逐渐增宽。声子模强度随温度升高呈现不同规律,E2(LA),E2(TA),E1(TA)和A1(LA)声子模随着温度升高强度单调增加,而E2(TO),E1(TO)和A1(LO)声子模强度出现了先增后减的明显变化,在138K强度出现极大值。分析认为造成原因是由于当温度高于138K时,高能量的声子分裂成多个具有更低能量的声子所致。
苗瑞霞赵萍刘维红汤晓燕
关键词:拉曼光谱
温度对4H-SiC拉曼散射模的影响
2013年
在极端环境中应用的SiC器件,稳定性会受到温度的严重影响,其主要原因与材料晶格动力学因素随温度的变化有关。为了研究SiC单晶材料晶格动力学对温度的依赖关系,该文利用拉曼散射技术对材料4H-SiC材料进行了从30-300K温度范围的光谱测量。结果表明,拉曼光谱的声学模和光学模峰位均出现红移现象,但前者红移量较大。分析认为:声学模峰位红移的原因主要是由于晶格振动恢复力随温度升高而减小,使振动频率降低所致;而光学模峰位红移则是由于原子相对运动随着温度升高而加剧,减弱了原子和晶胞之间的相互作用,因而引起振动频率的降低。声学模较光学模峰位红移量小的主要原因是由于声学模对应的原子质量相对较大,由于温度对质量较大的影响程度要比质量较轻的低,因此声学模的红移量较光学模的小。
苗瑞霞
腐蚀参数对SiC单晶材料位错腐蚀效果的影响被引量:2
2013年
湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法,腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅具有很强的化学稳定性,普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀,熔融的KOH可以很好地进行选择性腐蚀,因此位错选择性腐蚀的效果不仅受腐蚀时间的影响,还受腐蚀温度的影响。该文采用KOH作为腐蚀剂,通过改变腐蚀温度和时间研究腐蚀参数对SiC单晶材料中位错选择性腐蚀形貌的影响。结果表明,在温度为440°C和500°C时,改变腐蚀时间对位错选择性腐蚀形貌影响并不明显;而在腐蚀温度为470°C下,腐蚀形貌随时间变化出现三种不同特点,即10 min时欠腐蚀,20 min时过腐蚀,15 min时,可以得到理想的位错腐蚀形貌。
苗瑞霞
关键词:SIC位错
共1页<1>
聚类工具0