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退火处理对ITO和ITO：Zr薄膜性能的影响被引量：3: 2008年; 利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO:Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了(400)晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO:Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO:Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化。ITO:Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指数,揭示了ITO:Zr薄膜具有更好的光电性能。; 张波董显平徐晓峰赵培吴建生; 关键词：ITO薄膜磁控溅射退火处理光电性能

Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响被引量：3: 2007年; 利用简易合金靶在Si（100）衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu-2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜在300-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明：Cu及Cu（Cr）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，并且Cu（Cr）薄膜一直保持较强的（111）织构。原子力显微分析表明：Cu薄膜在500℃退火时，薄膜与硅基底发生明显的互扩散，薄膜表面的致密度及平整度下降：而Cu（Cr）薄膜在退火时保持较高的致密度，Cr显著提高Cu／Si薄膜体系的热稳定性。Cu（Cr）薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加，在400℃及500℃退火30min后分别达到最小值2．76μΩ·cm和2．97μΩ·cm，与纯Cu膜相近（2．55μΩ·cm）。Cu（Cr）薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关。适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu（Cr）合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景。; 王新建刘嘉聪洪波姜传海董显平; 关键词：织构电阻率

衬底温度对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响被引量：5: 2008年; 利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化。XRD和AFM分析表明,ITO∶Zr比ITO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,Zr的掺入促进薄膜晶化的同时导致了(222)晶面向(400)晶面取向的转变。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12Ω降为91.65Ω,光学透过率也有所上升。随着温度的上升,方阻可达到10Ω,薄膜也表现出明显的"B-M"效应,通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带。共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比传统的ITO薄膜展现了更好的综合性能。; 张波董显平吴建生; 关键词：ITO薄膜掺杂磁控溅射衬底温度

共溅射法制备ITO：Zr薄膜及其特性研究被引量：3: 2008年; 采用ITO靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO∶Zr薄膜,研究了衬底温度、氧流量对ITO∶Zr薄膜性能的影响。表征和对比了ITO∶Zr薄膜晶体结构和表面粗糙度的变化。ITO∶Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能,衬底温度的提高显著改善了薄膜的光电性能;一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能,但过量的氧却使得ITO∶Zr薄膜的光电性能变差。透射谱表明各参数的变化引起了明显的"Burstin-Moss"效应。当优化溅射条件为工作气压0.5Pa、氧流量0.3sccm、直流溅射功率45W(ITO靶)和射频功率10W(Zr靶)、沉积速率8nm/min和一定的衬底温度时,可以获得方阻10～20Ω/sq和可见光透过率85%(含基底)以上的ITO:Zr薄膜。; 张波董显平徐晓峰赵培吴建生; 关键词：ITO薄膜磁控溅射衬底温度氧流量

氧流量对ITO和ITO∶Zr薄膜性能的影响被引量：4: 2008年; 利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同氧流量下ITO和ITO∶Zr薄膜性能的变化。Zr的掺入促进薄膜晶化的同时也导致了(400)晶面取向的加强,ITO∶Zr比ITO薄膜具有较低的表面粗糙度。氧流量的上升降低了方阻和载流子浓度,ITO∶Zr薄膜具有更高的载流子浓度。一定范围的氧流量可以改善薄膜的可见光透过率,但过量的氧却使得薄膜的光学性能变差。通过直接跃迁的模型得出ITO∶Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带。共溅法制备的ITO∶Zr薄膜比ITO薄膜表现出更好的光电性能。; 张波董显平王新建吴建生; 关键词：ITO薄膜锆磁控溅射氧流量

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“上海－应用材料研究与发展”基金(0525)