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Current Progress of Hf(Zr)-Based High-k Gate Dielectric Thin Films被引量：1: 2007年; 与互补 metal-oxide-semiconductorfield 效果晶体管尺寸的继续的 downscaling ，高电介质的常数( high-kappa )门材料作为 SiO2 的选择，是广泛地， investigated.Hf ( Zr )基于 high-kappa 门电介质薄电影由于他们的优秀物理性质和表演为半导体根据国际技术路线图被认为是 high-kappa 门电介质的最有希望的候选人。这篇论文在基于的 Hf ( Zr )上考察最近的进步基于 PVD (物理蒸汽免职)， process.This 文章与为产生 Hf ( Zr )开发的各种各样的方法的调查开始的 high-kappa 门电介质基于 high-kappa 门电介质，然后主要集中于微观结构，合成，描述，界面的层的形成机制，和 Hf ( Zr )的光性质基于 high-kappa 门电介质。最后，这评论与向关于 Hf (Zr ) 的未来研究的观点基于的个人结束 high-kappa 门电介质。; Gang HE Lide ZHANG; 关键词：镀膜设备金属氧化物半导体

Chloride Assisted Growth of Aluminum Nitride Nanobelts and Their Enhanced Dielectric Responses: 2008年; 铝氮化物(AlN ) nanobelts 成功地通过氯化物在高产量被综合帮助蒸汽固体过程。X 光检查衍射，传播电子显微镜学，和选择区域电子衍射证明同样准备的 nanobelts 是纯的，在结构上制服和单身者水晶，并且能被索引到六角形的 wurtzite 结构。微观察在那里显示出那存在在获得的 nanobelts 的没有缺点。nanobelts 的生长方向沿着[0001 ] 。相对绝缘的常数并且绝缘的损失的频率系列在 50 Hz 的频率范围被测量到 5 MHz。这些系列的分析显示在样品的接口在样品的绝缘的行为上有大影响。作为与 AlN 微粉末相比， AlN nanobelts 有高得多的相对绝缘的常数，特别在在房间温度的低频率。; Ting XieMin yeZhi JiangYong QinYu-cheng WuGuo-wen MengLi-de Zhang; 关键词：氯化物物理性质

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国家自然科学基金(10674138)