国家自然科学基金(69896260-06)
- 作品数：8 被引量：32H指数：2
- 相关作者：黄美纯李开航朱梓忠庄宝煌吴丽清更多>>
- 相关机构：厦门大学北京工业大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用CCII回转器设计梯形结构电流模式滤波器被引量：28
- 2001年
- 该文提出一种设计高阶CCⅡ(第二代电流传输器)电流模式滤波器的新方法,即用CCⅡ回转器综合电流模式无源梯形网络的输入导纳,从而设计出高阶电流模式CCⅡ滤波器。用该方法设计出的电路与其它同类电路比较,电路结构简单、所使用的CCⅡ数目少。文中对CCⅡ的非理想特性进行了分析,提出了对CCⅡ的非理想特性进行补偿的方案。文中给出了六阶巴特沃斯滤波器的设计举例及补偿前和补偿后的计算机PSPICE仿真结果。
- 王春华沈光地徐晨李建军史辰郭霞
- 关键词：第二代电流传输器电流模式滤波器集成电路
- Si_(1-x)Ge_x/Si低维应变材料的发光机理
- 1999年
- 间接带隙Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 合金材料由于合金无序涨落而产生了无需声子参与的发光峰。自由激子局域化程度增加有利于无声子参与的带间复合发射，文章从能带工程角度出发，探索Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 合金低维应变材料发光的机理。提出利用应力生长Ｓｉ１ － ｘ Ｇｅｘ 量子点及其阵列是实现Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 低维材料室温发光的发展方向。
- 韩伟华余金中
- 关键词：低维材料发光
- Development of SiGe/Si HBT
- ＜正＞The development of SiGe/Si HBT in the world isbriefly reviewed and our recent research progress in highfreq...
- Guangdi SHEN
- 文献传递
- GAT的优化设计分析
- 2001年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件优化设计电力半导体器件
- GAT栅屏蔽效应二维解析模型被引量：3
- 2000年
- 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件屏蔽效应解析模型
- GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析被引量：1
- 2000年
- 通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：兼容性功率晶体管
- GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析被引量：1
- 2000年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：电流增益兼容性功率晶体管
- GAT双极晶体管的高频高压兼容特性被引量：1
- 2000年
- 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航吴丽清
- 关键词：双极晶体管
- 用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
- 1999年
- 通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠张志鹏李开航吴丽清
- 关键词：功率器件电流增益
- Non ideal current in SiGe/Si HBT
- ＜正＞The non-ideal current in the Ib and Ic of the SiGe/SiHBT were studied.At low temperature it shown tunnelcha...
- Chen XU
- 文献传递
