国家重点基础研究发展计划(1999064501)
- 作品数：9 被引量：84H指数：3
- 相关作者：张立德解挺牟季美蔡维理吴玉程更多>>
- 相关机构：中国科学院合肥工业大学中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能
- 介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30-80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导...
- 解挺吴玉程张立德
- 关键词：氮化硅纳米线荧光
- 文献传递
- 一维纳米材料中的新效应和新功能
- 详细综述了一维纳米材料中的新效应和新功能研究的新进展,包括光开关效应、线栅偏振效应、场发射效应、热电效应、压电效应、储氢效应、敏感效应,分析了这些纳米材料效应产生的原理以及与纳米材料的关系,指出了一维纳米材料中新效应和新...
- 张立德张玉刚
- 关键词：一维纳米材料
- 文献传递
- 镍有序纳米孔洞阵列厚膜的制备和表征被引量：9
- 2001年
- 以阳极氧化铝为模板通过两步复型的方法制备了金属镍的有序纳米孔洞阵列厚膜.镍膜的孔道彼此平行呈六角排列孔径约40nm孔洞间距80nm孔密度约1011个/cm2.
- 许彦旗蔡维理王银海牟季美
- 关键词：多孔阳极氧化铝镍电沉积表面形貌
- 高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究
- 报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO2,氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控...
- 何刚方起张立德
- 关键词：氧化铪
- 文献传递
- 单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能被引量：3
- 2004年
- 介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700 nm),发光峰位于567 nm.
- 解挺吴玉程张立德
- 关键词：氮化硅纳米线荧光
- 高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究被引量：2
- 2004年
- 报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO2,氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控制的生长.高纯的N2退火导致了界面层的分解,引起Si-O键的振动峰位的轻微移动.
- 何刚方起张立德
- 关键词：氧化铪
- 氮化铝一维纳米结构制备方法和物性研究的最新进展被引量：2
- 2005年
- 全面总结了近年来氮化铝一维纳米结构的各种制备方法及物理性能等研究的最新进展,并提出了有待进一步深入研究的一些发展方向。
- 解挺吴玉程张立德
- 关键词：氮化铝一维纳米材料物理性能
- 单晶铋纳米线阵列的可控生长
- 2004年
- 采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而变大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.
- 李亮李广海张立德
- 关键词：铋纳米线阵列脉冲电沉积氧化铝模板
- 一维纳米材料中的新效应和新功能被引量：3
- 2004年
- 详细综述了一维纳米材料中的新效应和新功能研究的新进展,包括光开关效应、线栅偏振效应、场发射效应、热电效应、压电效应、储氢效应、敏感效应,分析了这些纳米材料效应产生的原理以及与纳米材料的关系,指出了一维纳米材料中新效应和新功能是设计下一代纳米器件的基础.文章中还简要的介绍了纳米器件研究的新进展.
- 张立德张玉刚
- 关键词：一维纳米材料
- 准一维纳米材料制备方法的研究现状和发展趋势被引量：24
- 2006年
- 本文介绍了准一维纳米结构所包含的一些基本概念以及在纳米科技中的重要地位。系统综述了近年来准一维纳米结构在制备方法方面的研究进展,并展望了其未来研究的发展方向。这对于目前准一维纳米结构的研究选题、方法借鉴都有重要的参考价值和指导意义。
- 解挺焦明华俞建卫吴玉程张立德
- 关键词：准一维纳米结构
