国防基础科研计划(A1420060203)
- 作品数：6 被引量：16H指数：2
- 相关作者：于广华滕蛟孙光飞丁雷陈先中更多>>
- 相关机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中Pt插层对交换偏置场的影响被引量：1
- 2007年
- 在具有垂直磁各向异性Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中的Co/FeMn界面插入极薄的Pt层时,其交换偏置场有明显提高。研究结果表明:由于在Co/FeMn界面存在界面反应,破坏了(Pt/Co)n多层膜中靠近FeMn层的Co层的垂直磁各向异性,导致垂直交换偏置场Hex减弱。当在(Pt/Co)n与FeMn界面之间插入Pt层时可以有效地阻止这一反应发生,从而提高了多层膜的垂直交换偏置场Hex。
- 张睿刘洋金川于广华
- 关键词：交换偏置场垂直磁各向异性
- 表面活性剂Bi对自旋阀多层膜交换耦合场的影响及其微结构分析
- 2008年
- 采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低.
- 杜中美蔡永香丁雷朱熠李明华滕蛟于广华
- 关键词：表面活性剂X射线光电子能谱
- 纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响被引量：4
- 2007年
- 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。
- 王东伟丁雷王乐滕蛟于广华
- 关键词：各向异性磁电阻
- 非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件。测量了NiFe元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明,理论和实验符合。
- 张辉滕蛟于广华吴杏芳朱逢吾
- 关键词：各向异性磁电阻非均匀退磁场
- 基于巨磁阻抗效应的微磁传感器研制被引量：9
- 2007年
- 分析了巨磁阻抗敏感材料CoFeSiB非晶丝的特性,研制了磁传感器的硬件系统并对其进行了标定.试验表明:基于巨磁阻抗效应的新型微磁传感器具有灵敏度高、饱和磁场低、响应快和稳定性好等优点,具有较好的应用前景.
- 陈先中李芸芸侯庆文孙光飞
- 关键词：巨磁阻抗效应微磁传感器
- Co_(68.15)Fe_(4.35)Si_(12.5)B_(15)非晶丝的制备及巨磁阻抗效应
- 2007年
- 非晶丝的巨磁阻抗效应可应用于微磁传感器。利用旋转水中纺丝法制备了直径140μm的Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶丝,热处理后的XRD谱表明为非晶结构。在Agilent 4294A 阻抗分析仪上测量非晶丝的阻抗在外磁场下随交流电频率的变化。结果显示,样品在不同频率下表现出不同的巨磁阻抗效应,频率为3MHz时,非晶丝的巨磁阻抗变化率最大为270%,对磁场的最大灵敏度达到2.06%/A·m-1。
- 刘春伟孙光飞陈菊芳强文江王淼汪锋郝洁
- 关键词：巨磁阻抗微磁传感器
