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中央高校基本科研业务费专项资金(2010-1a-019)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：汪礼胜陈凤翔祝霁洺更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电池
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇优化设计
  • 1篇太阳电池

机构

  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 1篇祝霁洺
  • 1篇陈凤翔
  • 1篇汪礼胜

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计被引量：1
2011年
采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H(p)/nc-Si∶H(i)/c-Si(n)/nc-Si∶H(n+)/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为:开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。
汪礼胜祝霁洺陈凤翔
关键词：异质结太阳电池优化设计
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