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铝掺杂对CdFe_2O_4体系物相、电导和气敏性能的影响: 2009年; 按化学式Cd(AlxFe1-x)2O4进行化学计量配比,以化学共沉淀法制备了系列掺铝CdFe2O4固溶体粉料。XRD测量结果表明,掺铝Cd(AlxFe1-x)2O4固溶体的固溶x值范围为0; 唐玲方必军刘杏芹; 关键词：电导气敏性能

铌铁酸铅-钛酸铅铁电陶瓷的结构相变: 2011年; 通过钨锰铁矿预合成法制备了铌铁酸铅-钛酸铅(1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3(PFN-PT)铁电陶瓷。X-ray衍射(XRD)测量和密度测试表明,1 150℃烧结2.5 h制备的PFN-PT陶瓷呈现纯钙钛矿结构和较高的致密度。随着PbTiO3(PT)质量含量的增加,PFN-PT的晶体结构从三方相向四方相转变,伴随着晶胞体积的减小和钙钛矿结构四方性因子(c/a)的增大。PFN-PT陶瓷呈现明显的介电频率色散现象,随着PT含量的增加,介电常数最大值温度Tm/TC升高,介电响应从弥散、宽化的介电峰变得相对尖锐,介电损耗减小,频率色散现象减弱。MnO2掺杂有效地改善了PFN-PT陶瓷的介电性能。w=0.25%MnO2掺杂的0.66PFN-0.34PT陶瓷100 kHz的最大介电常数εm为13 254,室温介电损耗tanδ为0.003 63,饱和极化强度Ps为6.18μC/cm2,矫顽场Ec为1.1 kV/mm,压电应变常量d33为98pC/N。; 李乐庆潘姗姗方必军杜庆柏夏静唐玲; 关键词：钙钛矿结构相变电学性能

铌铁酸锶-钛酸铅铁电固溶体的合成与性能研究: 2010年; 通过铌铁矿预合成法制备了(1-x)Sr(Fe1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3(SFN-PT)铁电陶瓷。XRD测量表明,合成的SFN-PT陶瓷为纯钙钛矿结构。随着PbTiO3(PT)摩尔分数的增加,SFN-PT陶瓷的晶体结构从三方相向四方相转变,其介电响应也从弥散的宽峰变得比较尖锐,并伴随着介电常数峰值温度(Tm)的升高。少量的MnO2或Li2CO3掺杂能有效地降低SFN-PT陶瓷的介电损耗。SFN-PT陶瓷呈现典型的P-E电滞回线,但是剩余极化强度较小,少量的MnO2或Li2CO3掺杂能明显地降低矫顽场、增大剩余极化强度。SFN-PT陶瓷的压电应变常量d33较小,随着组分的不同,d值在10～22pC/N之间变化。; 李乐庆方必军; 关键词：铁电体

掺杂对0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3陶瓷结构和电学性能的影响: 2010年; 用传统的固相反应法、通过铌铁矿预合成路线制备了1mol%ZnO、MnO2和CuO掺杂的0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(0.7PMN-0.3PT)陶瓷。XRD分析表明掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷都呈现纯三方钙钛矿结构。烧成的陶瓷具有较高的致密度,其中CuO掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷达到理论密度的93.79%。掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷都呈现宽化、弥散的介电响应峰,然而介电常数的频率色散现象明显减弱。CuO掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷呈现优良的综合电学性能:介电常数最大值εm达到21000左右,剩余极化强度Pr达到27.49μC/cm2,压电应变常量d33达到548pC/N。; 李乐庆方必军丁晨露王大东; 关键词：弛豫铁电体钙钛矿结构掺杂电学性能

钛酸铋钠基无铅压电陶瓷粉体的制备技术被引量：8: 2010年; 作为一类具有发展前景的无铅压电陶瓷,钛酸铋钠(BNT)基陶瓷的开发和应用正日益受到重视。陶瓷粉体的形貌、化学成分的均匀性等,直接影响着陶瓷材料的组成与结构乃至其电学性能。本文综述了近几年BNT基无铅压电陶瓷粉体的制备技术,介绍了各种方法的基本原理、工艺,并讨论了不同制备方法的优缺点。; 周丽敏方必军李祥东; 关键词：钛酸铋钠压电陶瓷粉体

部分草酸盐工艺制备Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3铁电陶瓷被引量：1: 2011年; 通过部分草酸盐工艺制备了颗粒尺寸较小、粒度分布较均匀、团聚较少的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)前驱体。以活性PMN-PT前驱体为原料,通过固相反应法制备PMN-PT陶瓷。XRD测量表明,通过部分草酸盐工艺制备的PMN-PT陶瓷中含有少量的焦绿石相。随着PbTiO3(PT)含量的增加,PMN-PT陶瓷的晶体结构从三方铁电相逐渐向四方铁电相转变。烧成的PMN-PT陶瓷具有较高的致密度。组分和烧结温度对PMN-PT陶瓷的电学性能产生影响。随着烧结温度的升高,PMN-PT陶瓷的介电常数最大值εm增大,伴随着εm对应的温度TC/Tm的不规律变化;剩余极化强度Pr增大,矫顽场Ec减小;压电应变常量d33值增大。随着PT含量的增加,TC/Tm增大,介电响应特征从弥散型铁电相变向正常铁电相变转变,电滞回线从狭长的回线向接近矩形的形状转变。0.68PMN-0.32PT陶瓷呈现优良的综合电学性能,1200℃烧结的陶瓷1kHz时εm为14070,Tm为148.2℃,d33值为457pC/N,Pr为14.69μC/cm2,Ec为4.72kV/cm。; 方必军钱昆凌婧杜庆柏; 关键词：草酸盐 PMN-PT 电学性能

掺杂对(Na_(1/2)K_(1/2))NbO_3-CaTiO_3无铅陶瓷烧结温度和电学性能的影响: 2010年; 通过传统固相反应法、利用两步合成工艺,在常压、960～1160℃烧结制备0.95(Na1/2K1/2)NbO3-0.05CaTiO3(0.95NKN-0.05CT)及WO3、CuO掺杂0.95NKN-0.05CT无铅压电陶瓷。X射线衍射分析表明:960℃和1020℃烧结制备的掺杂前后的0.95NKN-0.05CT陶瓷均为纯钙钛矿结构。随着CuO掺杂量的增加及烧结温度的升高,CuO掺杂0.95NKN-0.05CT陶瓷中出现杂相,并伴随着压电性能的下降。添加第二组元CaTiO3和氧化物掺杂可增加(Na1/2K1/2)NbO3(NKN)陶瓷的致密度,同时烧成陶瓷的介电、铁电和压电性能也有明显改善。摩尔分数分别为1%和2%CuO掺杂0.95NKN-0.05CT陶瓷的压电常数分别达到165pC/N和140pC/N。; 方必军姜娜张然; 关键词：掺杂固相反应电学性能

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江苏省高校自然科学研究项目(08KJB430001)