南京信息工程大学科研基金(S8108197001)
- 作品数：3 被引量：15H指数：2
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- 金属二次电子发射系数表达式被引量：10
- 2012年
- 根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2～10keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2～10keV的二次电子发射系数通式。
- 谢爱根张健刘斌王铁邦
- 关键词：金属
- 材料次级电子发射特性对表面充电影响的数值计算研究被引量：4
- 2012年
- 表面充电是最早被人们发现的空间环境效应,是由空间环境引起的航天器异常和故障的主要诱因之一.采用较精确的金属二次电子发射公式和局部电流平衡模型,在无光照的情况下,对不同表面材料及不同几何形体的航天器表面充电电位进行计算,并绘制了表面材料的充电电位与最大二次电子发射系数之间的关系曲线.根据数值计算结果及次级电子发射系数和曲线图得知,航天器阴面充电电位与表面材料的原子序数、最大二次电子发射系数和入射离子引起的次级发射系数均有关.该计算对航天器表面材料的选取和设计工艺有一定的参考价值.
- 张健谢爱根王玲王铁邦
- 多晶体二次电子的角度分布被引量：2
- 2011年
- 根据二次电子发射的主要物理过程,推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时,推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式,该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布,且与原电子的入射角无关。分析结果表明:在内二次电子最大逸出深度范围内,如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数,则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。
- 谢爱根张健吴红艳王铁邦
- 关键词：二次电子高能电子多晶
