江苏省高校自然科学研究项目(09KJB510014)
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性
- 2010年
- 通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。
- 李卫
- 关键词：纳米金颗粒自组装
- 将硅片干法刻蚀技术引入设计性、研究性的普通物理实验
- 2010年
- 对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。本文介绍了如何将硅片干法刻蚀技术引入到设计性、研究性的普通物理实验教学中.以及在相关实验教学的设计、实验内容的编排和教学方式等方面的一些特点。
- 李卫
- 关键词：干法刻蚀等离子体刻蚀设计性研究性物理实验
- 纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构
- 2011年
- 微电子器件的小型化是集成电路图形尺寸即将突破传统光刻极限,发展新的微加工技术更是当今科研工作在重要目标之一。纳米压印技术是较有应用前景的技术。本文主要介绍了纳米压印的基本过程,利用一维和二维石英光栅为模版,采用紫外光固化原理,将模版上的有序周期结构转移到光刻胶上。其分辨率只与模版图案的尺寸有关,而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制。利用反应离子刻蚀技术将已固化的光刻胶上的图形最终转移到硅衬底上。AFM观测结果表明压印过程可以将模版上的结构完全保真地转移到硅衬底上。
- 李卫
- 关键词：纳米压印
