江苏省高校自然科学研究项目(09KJB510010)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：花婷婷张锐程玮郭宇锋左磊召更多>>
- 相关机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术被引量：1
- 2011年
- 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
- 张锐郭宇锋程玮花婷婷
- 关键词：绝缘体上硅反应离子刻蚀
- SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
- 2011年
- 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
- 程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷
- 关键词：全耗尽SOI部分耗尽SOI射频MOSFET
