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Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究: 2002年; 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5; 汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究: 本文对在Si(111)衬底上用HVPE方法对横向外延GaN材料的微结构和光学性质进行了研究。透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO掩膜腐蚀角的不同(分别为90°和66°),...; 汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波陈鹏周玉刚李卫平施毅郑有炓; 关键词：微结构 HVPE SI(111)衬底; 文献传递

侧向外延生长GaN的结构特性(英文): 2001年; 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚。; 张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓KUAN T S; 关键词：GAN

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 2001年; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。; 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y; 关键词：C-V特性铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

侧向外延生长GaN的结构特性(英文): 2001年; 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚。; 张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓KUAN T S; 关键词：GAN

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 2001年; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。; 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y; 关键词：C-V特性铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）: 2001年; 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。; 郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩Someya TArakawa Y; 关键词：二维电子气

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文): 2001年; 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。; 郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有火斗蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩Someya TArakawa Y; 关键词：二维电子气

额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响被引量：6: 2003年; 在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不同 .氮化是通过在衬底表面形成 Al N小岛 ,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合 ;而添加额外; 修向前张荣李杰卢佃清毕朝霞叶宇达俞慧强郑有炓; 关键词：GAN 氮化

Pb(Zr0.53Ti(0.47))O3/GaN结构的制备和电学性质研究: 以铁电体Pb(ZrTi)O(PZT)取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构。由于铁电体具有较强的极化电场和高的介电常数,GaN基金属-铁电-半导体(MFS)结构的C-V特性和其他GaN基MI...; 毕朝霞张荣李卫平殷江沈波周玉刚陈鹏陈志忠顾书林施毅刘治国郑有炓; 关键词：GAN MFS PZT C-V P-V; 文献传递

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