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国家自然科学基金(50901050)

作品数:3 被引量:8H指数:1
相关作者:冯列峰王存达李杨邢琼勇张国义更多>>
相关机构:天津大学北京大学海南工商职业学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电学
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇发光二极管(...
  • 1篇电导
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻
  • 1篇蓝光
  • 1篇激光
  • 1篇激光二极管
  • 1篇交换耦合
  • 1篇发光器件
  • 1篇负电容
  • 1篇高频
  • 1篇高频特性
  • 1篇P-N结
  • 1篇FECO
  • 1篇GAN基蓝光
  • 1篇LD

机构

  • 3篇天津大学
  • 2篇北京大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇九江学院
  • 1篇兰州大学
  • 1篇海南工商职业...

作者

  • 2篇李杨
  • 2篇王存达
  • 2篇冯列峰
  • 1篇葛世慧
  • 1篇李丁
  • 1篇张国义
  • 1篇姚东升
  • 1篇周雪云
  • 1篇从红侠
  • 1篇邢琼勇

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇天津师范大学...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性被引量:8
2013年
对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正向电学特性的理论研究提供实验基础。
李杨冯列峰李丁王存达邢琼勇张国义
关键词:发光二极管(LED)负电容电导P-N结
650nm波长发光器件的电学特性研究
2010年
利用正向交流小信号结合直流I—U特性的方法对波长为650nm的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的正向电学特性进行精确表征.电学测量结果表明:发光二极管和激光二极管的串联电阻并非常数,激光二极管的串联电阻、结电压、电导和电容在阈值附近均出现明显突变.对比激光二极管和发光二极管的电学特性,得到激光二极管阈值处电学特性的突变是激射发光的必然结果.
冯列峰李杨从红侠王存达
关键词:发光二极管(LED)串联电阻
FeCo-SiO_2纳米颗粒膜的高频软磁特性
2010年
采用磁控共溅射法制备了系列(Fe_(65)Co_(35))_(x)(SiO_2)_(1-x)纳米磁性颗粒膜,并研究了其微结构和微波特性。结果表明,样品在x=0.5~0.7的宽成分范围内表现出良好的软磁特性,H_c最大不超过4Oe,电阻率高达10~3μΩ·cm。样品同时具有良好的高频磁特性,磁谱的共振频率高达2.4GHz,可用于抗电磁干扰和微波吸收材料。HRTEM分析表明,Fe_(65)Co_(35)纳米颗粒均匀地镶嵌在绝缘的SiO_2介质中。由于Fe_(65)Co_(35)合金具有较长的交换长度,因此有利于加强磁性颗粒之间的交换耦合作用,使样品获得优良的软磁特性。更高体积分数的样品中颗粒之间的相互作用减弱,可能是因为未被平均掉的磁晶各向异性。
周雪云姚东升葛世慧
关键词:高频特性交换耦合
共1页<1>
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