高等学校科技创新工程重大项目(707015)
- 作品数：8 被引量：38H指数：3
- 相关作者：董闯姜辛臧海蓉牟宗信林曲更多>>
- 相关机构：大连理工大学海南大学大连工业大学更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 中频磁控溅射技术制备Co-Ni合金薄膜被引量：2
- 2012年
- 由于电镀硬铬对环境有一定的污染，因而选择合适的制备方式和合适的替代硬铬的材料具有一定的实际意义。本文选用Co-Ni作为硬铬的替代材料，并采用中频磁控溅射的方式在铜基底上制备Co-Ni合金薄膜，重点研究了溅射功率与Co-Ni合金薄膜的沉积速率、成分的关系，结果表明沉积速率随溅射功率的增加而增加；溅射功率在O．8-1．1kW之间时，薄膜成分与靶材成分基本一致；并把1．1kW时制备的Co-Ni合金薄膜的电极化腐蚀性能与电镀cr薄膜、离子镀Cr薄膜相比较，结果表明Co-Ni合金的腐蚀电位可达到-0．245V，具有较强的耐腐蚀性。
- 臧海蓉牟宗信丁安邦林曲陈宝清
- 关键词：磁控溅射溅射功率
- 磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响被引量：1
- 2014年
- 采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯B、C及Mg单质靶材为溅射源,573K下在单晶Si(001)表面成功制备硬质非晶态BCMg薄膜.背散射扫描电镜(SEM)图显示薄膜成分均匀,与基体Si片结合良好.X射线光电子能谱(XPS)分析表明薄膜中存在B—B、B—C、C—Mg等键态.X射线衍射仪(XRD)及高分辨透射电镜(HRTEM)测试结果表明薄膜为非晶态结构.某单质靶材溅射功率提高时,沉积速率及相应元素在薄膜中的含量随之上升.随着薄膜中B含量增加,薄膜中B—B共价键数量增多,BCMg薄膜硬度与断裂韧性均上升.B含量为85%时,BCMg薄膜硬度及断裂韧性分别达到33.9GPa及3MPa·m1/2.
- 周徐洋吴爱民马艳萍董闯
- 关键词：磁控溅射非晶力学性能
- 45钢表面激光熔覆Fe-B-Si铁基非晶复合材料被引量：16
- 2012年
- 以Fe-B-Si三元合金为母合金,分别采用球磨破碎和甩带研磨两种方式制备了晶态和非晶态复合粉末并在45钢表面上进行了激光熔覆试验。通过对粉末物相结构和熔覆层质量、结构、组织及性能分析可知:在相同的熔覆能量条件下,非晶复合粉末的熔覆性能优于晶态粉末。采用非晶复合粉末所获得的熔覆层表面及内部没有气孔和裂纹,与基体形成了良好的冶金结合,其组织为细小均匀的树枝晶,各元素在熔覆层内分布较为均匀,受固溶强化、位错强化和细晶强化的影响,其硬度及耐磨性与基体相比都有较为明显的改善。
- 张娈董闯王存山王清
- 关键词：激光熔覆
- 等离子体浸没式离子注入沉积技术及应用被引量：15
- 2009年
- 等离子体浸没式离子注入沉积是近年来迅速发展的一种材料表面改性新技术,其基本原理是,作为靶的工件外表面全部浸没在低气压、高密度的均匀等离子体中,工件上施加频率为数百赫兹、数千至数万伏高压负脉冲偏压。它克服了传统方法所具有的薄膜沉积或离子注入存在方向性的固有缺陷,因此在复杂形状的三维工件表面改性工艺与技术上表现出无与伦比的优越性。该技术可以有多种工作模式,在离子注入前、注入期间或注入后进行原位清洗、刻蚀或薄膜沉积。作为应用实例,本文给出在复杂形状构件上合成均匀类金刚石或纳米金刚石薄膜的实验结果,最后指出等离子体浸没式离子注入沉积技术的发展趋势和工业化应用尚需解决的问题。
- 任瑛张贵锋董闯姜辛
- 关键词：表面改性类金刚石薄膜纳米金刚石薄膜
- 用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.
- 王健白亦真张东潘丽柳浩管昌雨吴占玲赵纪军
- 关键词：傅里叶变换红外光谱射频磁控溅射
- B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征
- 2009年
- 采用射频磁控溅射方法．以石墨和六方氮化硼（h-BN）为复合靶，在氩气和氮气的氛围中。在室温和673K的条件下，分别改变N2流量，沉积BCN薄膜．经傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析表明，在1000-1800cm-1和2200cm-1处分别出现了C=N键和弱的C≡N键的特征吸收峰．表明沉积的薄膜组分当中，少量碳原子与氮原子结合．而分别溅射石墨和h-BN靶，红外光谱分析显示1100cm-1处不是B--C键．说明采用射频磁控溅射方法得到的薄膜倾向于相分离．
- 贾福超白亦真庄春强屈芳邢娇杨赵纪军姜辛
- 关键词：傅立叶变换红外光谱射频磁控溅射
- AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究被引量：1
- 2012年
- 采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响。通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮化硅薄膜对AZ31镁合金基底表面改性的作用。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态富N氮化硅。随着氮气流量比率的增加,薄膜的沉积速率降低,Si含量减少。在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜有效提高了基底的力学性能和抗腐蚀性能,显微硬度得到显著提高,腐蚀电流密度降低了3个数量级,并且薄膜与基底之间的结合力良好。
- 牟宗信臧海蓉刘冰冰林曲丁安邦王春董闯
- 关键词：氮化硅薄膜镁合金磁控溅射红外光谱抗腐蚀性
- 利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积被引量：3
- 2012年
- 本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征.详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用,并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法,对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.
- 苏元军徐军朱明范鹏辉董闯
- 关键词：多晶硅薄膜电感耦合等离子体磁控溅射拉曼散射
