您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(2003CB314705)

作品数：19 被引量：27H指数：3
相关作者：杜寰韩郑生王晓慧王文博宋李梅更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 19篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 5篇英文
  • 5篇LDMOS
  • 3篇液晶
  • 3篇微显示
  • 3篇击穿电压
  • 3篇硅基液晶
  • 3篇LCOS
  • 2篇双栅
  • 2篇平板显示
  • 2篇镜面电极
  • 2篇高压驱动电路
  • 2篇氧
  • 2篇场发射
  • 1篇低压
  • 1篇电流控制
  • 1篇电流控制型
  • 1篇电路设计
  • 1篇电平转换
  • 1篇电平转换电路

机构

  • 19篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 19篇杜寰
  • 15篇韩郑生
  • 11篇王晓慧
  • 10篇王文博
  • 10篇宋李梅
  • 7篇夏洋
  • 6篇李桦
  • 5篇黄苒
  • 3篇凌志华
  • 3篇欧毅
  • 3篇冯亚云
  • 1篇陈淑芬
  • 1篇赵毅
  • 1篇海潮和
  • 1篇孟彦龙

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇液晶与显示
  • 2篇半导体技术
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇发光学报
  • 2篇电子器件
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇光电工程
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化被引量：3
2007年
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.
王文博宋李梅王晓慧杜寰孙贵鹏
关键词：LDMOS热载流子注入可靠性
硅基液晶像素电路的研究被引量：2
2007年
分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电。电路经过Hspice仿真,对结果进行分析表明,其功能及特性符合设计要求,像素电容电荷保持率达到99%。电路具有结构简单,占用芯片面积小,像素电容电荷保持率高等优点,适合高亮度、高分辨率微显示器件的设计与制造。
黄苒杜寰王文博王晓慧韩郑生
关键词：硅基液晶像素电路
双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进被引量：1
2008年
双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压。改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除了多晶硅残留现象,减少了工艺步骤,提高了成品率;对于厚度大于70 nm或者100 nm的厚栅氧器件,除了以上的改进措施,还增加了一步光刻工艺,分别单独形成高压和低压器件的源漏区域。通过这些方法,解决了多晶残留问题,得到了性能更好的LDMOS器件,大大提高了成品率。
王文博宋李梅王晓慧杜寰韩郑生
关键词：LDMOS
硅基有机发光微显示像素驱动电路设计被引量：4
2008年
由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流。文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动。利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比。同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高。所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路。
王晓慧王文博陈淑芬孟彦龙杜寰韩郑生赵毅
关键词：电流控制型
高压nMOS器件的设计与研制(英文)
2005年
根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件.测试结果表明器件的击穿电压为114V,阈值电压和最大驱动能力分别为1.02V和7.5mA(W/L=50).详细比较了器件的模拟结果和测试数据,并且提出了一种改善其击穿性能的方法.
李桦宋李梅杜寰韩郑生
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件被引量：2
2005年
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。
李桦宋李梅杜寰韩郑生
关键词：CMOS工艺
1OOV高压pMOS器件研制
2006年
研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.
宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生
关键词：高压集成电路LDMOS
QVGA硅基液晶微显示被引量：1
2009年
设计了QVGA分辨力硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon)微显示芯片,采用比较器与计数器相结合的D/A转换方式,降低了芯片的功耗和电路的设计难度;设计了QVGA微显示芯片视频驱动系统,以CPLD为核心控制单元搭建了视频显示驱动板,接收计算机输出的VGA显示信号,经过控制单元进行行列变换与时序处理,驱动LCoS微显示芯片显示视频图像,测试结果表明显示芯片像素点灰度响应正确,符合液晶材料要求,能够显示分辨力320×240、帧频60Hz的动态视频,视频显示响应速度快,显示功能符合设计要求。
黄苒王文博王晓慧杜寰欧毅韩郑生冯亚云凌志华
关键词：LCOS微显示视频系统
LCoS平板微显示驱动技术研究被引量：1
2009年
研究了硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路的制备工艺、电路设计、版图绘制以及显示功能测试。采用化学机械抛光(CMP)工艺实现硅片表面平坦化方案,满足了LCoS微显示对表面平整度的要求;合理布设两层金属布线,巧妙实现遮光作用;利用剥离的方法制备Ag反射电极,解决了Ag工艺与标准CMOS集成电路工艺的兼容问题;在硅基片上制作出U形PAD,通过导电胶与公共电极ITO相接。电路设计中采用了对台阶电平计数的办法实现DA转换的功能,既降低了电路设计难度,又方便测试过程中对灰度电平的调整。制备出LCoS微显示驱动面板,实现了QVGA分辨率、16级灰度LCoS、帧频50 Hz的视频显示。
王文博王晓慧黄苒欧毅杜寰夏洋韩郑生冯亚云凌志华
关键词：硅基液晶镜面电极
双栅氧CMOS工艺研究被引量：3
2005年
双栅氧工艺(dualgateoxide)在高压CMOS流程中得到了广泛的应用,此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上。文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣。在此基础上,提出了一种实现双栅氧工艺的方法。
李桦宋李梅杜寰韩郑生
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0