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浙江省自然科学基金(Y407109)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：张磊刘旭叶辉皇甫幼睿张冲更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇氧化硅
  • 1篇锗量子点
  • 1篇退火
  • 1篇量子点
  • 1篇花样
  • 1篇缓冲层
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇RHEED
  • 1篇SI-GE

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇皇甫幼睿
  • 2篇叶辉
  • 2篇刘旭
  • 2篇张磊
  • 1篇张冲

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究被引量：3
2009年
在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件.
张冲叶辉张磊皇甫幼睿刘旭
氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究
2011年
在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(～1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常规律并进行了原因分析.利用拉曼和荧光光谱研究了其应力和发光特性,发现在可见(500nm)和近红外(1350nm)的两个光致荧光峰出现.
张磊叶辉皇甫幼睿刘旭
关键词：锗量子点二氧化硅退火
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共1页<1>
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