国家自然科学基金(61275033)
- 作品数：13 被引量：28H指数：4
- 相关作者：赵毅郭永林王红波岳守振武明珠更多>>
- 相关机构：吉林大学圣安德鲁斯大学中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响被引量：1
- 2015年
- 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。
- 武明珠郭永林苟昌华关晓亮王红波
- 关键词：薄膜晶体管
- 基于mCP与UGH2为母体的双发光层高效率蓝色磷光OLED被引量：1
- 2015年
- 以9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(m CP)和1,4-二(三苯甲硅烷基)苯(UGH2)为母体,将常用的蓝光染料二(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯基-(2-吡啶甲酸根))合铱(Ⅲ)(FIrpic)掺入这两种母体材料中,制得具有双发光层结构的蓝色磷光有机电致发光器件,并对整个物理机制进行了阐述。该器件较基于m CP或UGH2为母体的单发光层器件有着更高的器件效率。器件的最大电流效率、功率效率、外量子效率分别为21.13 cd/A、14.97 lm/W、10.56%。器件亮度从100 cd/m2到3 000 cd/m2时,效率滚降为34.2%。
- 梁续旭曲加伟郭永林穆晓龄吴宇坤赵毅
- 关键词：有机电致发光器件
- 低效率滚降、光谱稳定的蓝光有机发光器件
- 2015年
- 将多个(Ir(ppz)3∶FIrpic,1 nm)薄层对称地插入发光区(m CP∶FIrpic)中形成周期性结构,研究了该结构对蓝光有机发光器件性能的影响。结果表明,这种结构有效地抑制了发光区位置的漂移,减小了效率滚降,提高了光谱的稳定性;同时增强了载流子的直接俘获复合,提高了器件的效率。相对于无周期性发光层结构的器件,最大电流效率从16.55 cd/A提高到20.70 cd/A,最大功率效率从14.85 lm/W提高到16.26 lm/W,效率滚降改善了40%。
- 曲加伟穆晓龄梁续旭郭永林赵毅
- 基于连续性掺杂的高效全荧光白色有机电致发光器件的研究被引量：6
- 2013年
- 利用荧光材料PT-01,PT-86,PT-05作为黄色荧光客体,蓝色荧光客体以及荧光母体制备了一种基于连续性掺杂结构的全荧光白光有机电致发光器件.其发光层为主体/客体薄层/主体/客体薄层···交替蒸镀的重复单元.通过优化发光层中主体的厚度并检测发光层中单线态激子的分布,将黄、蓝两种客体染料生长在发光层中适当的位置,得到了高效且光谱稳定的全荧光白光器件.其最大电流效率为11.2 cd/A,亮度在159—20590 cd/m2范围内色坐标仅有(±0.004,±0.005)的改变.基于这种连续性掺杂结构制备的器件,其性能不但可以达到传统主-客体共掺结构所制备的器件的性能,而且具有较高的可重复性,更适合产业化大批量生产.
- 吴清洋谢国华张振松岳守振王鹏陈宇郭闰达赵毅刘式墉
- 关键词：白色有机电致发光器件可重复性
- 面向彩色有机微显示的有机白光顶发射器件被引量：5
- 2015年
- 以比铝、银等金属材料透光性更好的铜作为白光有机顶发射器件的顶电极,将其应用到基于Al底电极的蓝、黄互补色顶发射白光有机电致发光器件(TEWOLED),通过合理设计器件结构,制备出的器件具有较低的驱动电压和较高的效率,4V下亮度超过1 000cd/m2、功率效率达到28.5lm/W,效率滚降较小。我们利用p型电学掺杂结构和电子注入缓冲层结构分别解决了铝和铜电极功函数同空穴传输层的HOMO能级和电子传输层的LUMO能级不匹配问题,并通过TcTa光学覆盖层的调节作用使器件具有较好的光谱稳定性。基于Cu顶电极的TEWOLED与采用Al作为互连金属的CMOS工艺兼容,我们将该器件与硅基CMOS驱动电路结合,获得了SVGA白光有机微显示器件,为彩色有机发光微显示的实现奠定了基础。
- 武明珠郭闰达张振松岳守振曲加伟胡守成黄苒杜寰王红波赵毅
- 未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究被引量：5
- 2015年
- 铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低。利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化。研究发现插入4nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6%,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高。此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单。
- 苟昌华武明珠郭永林杨永强关晓亮段羽王红波
- 关键词：薄膜晶体管INGAZNO接触电阻缓冲层
- 基于载流子平衡的效率及亮度提高的有机蓝光器件被引量：4
- 2015年
- 研究了在两空穴传输层之间插入Bphen中间层对有机蓝光器件(BOLEDs)效率的影响。结果表明,其对空穴的阻挡作用使得电子与空穴在发光区内达到相对平衡,减少了激子-极化子猝灭几率,从而提高了有机蓝光器件的效率和亮度。器件的最大电流效率从16.12 cd/A增加到20.52 cd/A,相对提高了27.30%;最大功率效率从14.23 lm/W增加到17.64 lm/W,相对提高了23.96%。文中对提高效率的物理机制进行了详细的阐述。
- 穆晓龄曲加伟郭永林梁续旭赵毅
- 关键词：载流子平衡
- Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究被引量：6
- 2015年
- 采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。
- 郭永林梁续旭胡守成穆晓龄曲加伟王红波赵毅
- 关键词：三氧化二铝
- Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善
- 2014年
- 研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。
- 刘子洋刘东洋张世明王学会赵毅刘式墉
- 关键词：有机薄膜晶体管并五苯电性能
- Cross-cascaded AWG-based wavelength selective switching integrated module using polymer optical waveguide circuits
- 2016年
- 100-GHz 跨 cascaded 穿了基于的波导栅栏(美国线规) 波长有 Mach-Zehnder 干涉仪(MZI ) 的选择光切换的光跨 connects (OXC ) 模块 thermo 眼(到)可变光衰减器(美国之音)数组和光 true-time-delay ( TTD )衬里数组成功地被设计并且制作了使用聚合物 photonic lightwave 电路。高度氟化的 photopolymer 和 grafting 修改了器官无机的混合材料分别地作为波导核心和 cladding 被综合。一个薄片传播损失是 6 dB 和串音是的 ~ 不到 ~ 30 dB 为横向磁性(TM ) 模式。不同 thermo 眼的开关的实际最大的调整深度是类似的， ~ 有 1.9 V 偏爱的 15.5 dB。一个单个开关的最大的电源消费是不到 10mW。基本增长从 140 ～ 20 ps 被测量的延期时间。建议新奇模块为稠密的波长部门 multiplexing 网络灵活、可伸缩。
- Changming CHENDaming ZHANG
- 关键词：聚合物光波导选择开关波长选择电路制作AWG有机-无机杂化材料
