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模拟集成电路国家重点实验室开放基金(51439040105SC02)

作品数：2 被引量：4H指数：2
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相关机构：四川大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇辐照
  • 2篇Γ辐照
  • 2篇SIGE_H...
  • 1篇电偶极
  • 1篇电偶极子
  • 1篇势垒
  • 1篇偶极
  • 1篇偶极子
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇晶体管
  • 1篇基极
  • 1篇基极电流
  • 1篇集电极
  • 1篇集电极电流
  • 1篇发射结
  • 1篇NPN晶体管
  • 1篇SIGEHB...
  • 1篇硅
  • 1篇GEV

机构

  • 3篇四川大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇石瑞英
  • 2篇龚敏
  • 2篇杨晨
  • 2篇程兴华
  • 2篇王健安
  • 2篇蒲林
  • 1篇刘伦才
  • 1篇刘轮才
  • 1篇蒲林
  • 1篇郭丰
  • 1篇谭开州

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇四川大学学报...

年份

  • 3篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SiGe HBT抗γ辐照机理研究
＜正＞由于异质结双极晶体管（HBT）和高电子迁移率晶体管（HEMT）比硅器件具有更优越的抗γ辐照特性,所以被广泛应用在卫星、空间站等辐照环境中。在 HBT 器件中,SiGe HBT 具有成本低、与硅工艺兼用等优点,所以备...
石瑞英蒲林程兴华谭开州杨晨刘轮才王健安龚敏
关键词：Γ辐照
文献传递
集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
2007年
对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
关键词：总剂量效应电偶极子
γ辐照对SiGe HBT特性的影响被引量：2
2007年
对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.
杨晨刘轮才龚敏蒲林程兴华谭开州王健安石瑞英
关键词：SIGEHBT基极电流集电极电流Γ辐照
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