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中央高校基本科研业务费专项资金(2009xjtujc06)

作品数：1 被引量：25H指数：1
相关作者：尹桂来李盛涛尧广李建英成鹏飞更多>>
相关机构：西安交通大学西安工程大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子陷阱
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏电压
  • 1篇压敏陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇ZNO压敏陶...

机构

  • 1篇西安工程大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇成鹏飞
  • 1篇李建英
  • 1篇尧广
  • 1篇李盛涛
  • 1篇尹桂来

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究被引量：25
2010年
使用8/20μs脉冲电流发生器对普通商用ZnO陶瓷压敏电阻片进行了最多5000次的冲击试验.测量了冲击前后试样的电气性能和介电特性,分析了冲击后小电流区的U-I特性和损耗角正切值tanδ随脉冲大电流的不断作用而发生的变化.实验发现压敏电压U1mA随冲击次数的增加经历增大—稳定—减小三个过程.认为正反偏Schottky势垒的中性费米能级的变化是影响样品小电流区的最根本原因.本文提出用试样的非线性系数α作为老化特征参数比传统的U1mA能更好地表征其老化程度;发现在-100℃时,冲击600次后介电频谱中在105Hz附近出现新的损耗峰,该损耗峰的活化能随冲击次数的增大而降低,最后趋于稳定,认为该冲击老化过程中出现的新峰是由晶界中的陷阱俘获和发射注入的电子所引起.
尹桂来李建英尧广成鹏飞李盛涛
关键词：ZNO压敏陶瓷压敏电压
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