中国博士后科学基金(G2000068306)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：李梦轲魏强张威曹璐李桂芳更多>>
- 相关机构：辽宁师范大学兰州大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金辽宁省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究被引量：1
- 2007年
- 对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大。高k栅介质能够减小IEDT,进而减小了Ioff,其中HfSiON、HfLaO可以使边缘隧穿电流减小2～5个数量级且边缘诱导的势垒降低(FIBL)效应很小。但当栅介质的k>25以后,由于FIBL效应,关态泄漏电流反而增大。
- 杨建红李桂芳刘辉兰
- 关键词：高K栅介质
- 纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究被引量：2
- 2007年
- 用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜(SEM)和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件,分析研究了这些器件的I-V特性,并对I-V特性变化规律进行了分析讨论。
- 曹璐李梦轲魏强张威
- 关键词：电子学特性
