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湖南省科技厅重点项目(2007GK3064)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：王建兴潘勇欧铜钢周兆锋谭艳芳更多>>
相关机构：湘潭大学更多>>
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相关领域：电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电沉积
  • 1篇电极
  • 1篇电结晶
  • 1篇碳电极
  • 1篇硫酸
  • 1篇硫酸盐体系
  • 1篇铟
  • 1篇CU
  • 1篇玻璃碳
  • 1篇玻璃碳电极
  • 1篇成核
  • 1篇成核机理
  • 1篇CUINSE...

机构

  • 2篇湘潭大学

作者

  • 2篇周兆锋
  • 2篇欧铜钢
  • 2篇潘勇
  • 2篇王建兴
  • 1篇谭艳芳
  • 1篇郑军

传媒

  • 1篇材料保护
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
硫酸盐体系中铟在玻璃碳电极上的电化学成核机理
2009年
关于硫酸盐体系中镀铜的沉积机理少见报道,采用循环伏安法和计时电流法研究了铟在硫酸盐体系中电沉积的循环伏安特性与电结晶机理。通过分析恒电位暂态曲线,求出铟离子的扩散系数D和不同电压下的晶核密度N0。结果表明:铟的电沉积没有经历欠电位沉积过程,而是经历了晶核形成过程,其电沉积反应是一个不可逆过程;在外加电位范围内铜的电结晶按照瞬时成核方式和三维生长方式进行。
欧铜钢王建兴潘勇郑军周兆锋
关键词：玻璃碳电极电结晶成核机理
Cu-In合金硒化法制备CuInSe_2薄膜被引量：1
2009年
采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe2薄膜。采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比。研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响。硒化后,Cu与In的化学计量比为1.1时形成了比较单一的CuInSe2黄铜矿相结构。
欧铜钢谭艳芳王建兴周兆锋潘勇
关键词：电沉积CUINSE2
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共1页<1>
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