国际科技合作与交流专项项目(2008DFA11010)
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 相关作者：段子刚柴广跃徐光辉刘强周光辉更多>>
- 相关机构：深圳大学湖南师范大学更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 1.5μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
- 2010年
- 基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化.通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散.所获得的外延材料在1.51μm呈现较强的PL峰值,具有卫星峰清晰的XRD谱.
- 段子刚黄晓东周宁徐光辉柴广跃
- 1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
- 2010年
- 基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
- 段子刚柴广跃
- 关键词：异质结
- 基于同轴结构的高速VCSEL管座设计方法
- 2014年
- 基于垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)的同轴管壳封装等效电路模型,分析影响器件高频性能的封装寄生参量.结合量产要求,通过调节管壳的部分结构参数与介质材料的介电常数,提高器件频率响应.分析结果表明,优化设计后的器件高频性能得到显著提高.
- 柴广跃刘强徐光辉段子刚
- 关键词：垂直腔面发射激光器同轴封装等效电路模型
- 弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线电导(英文)
- 2010年
- 在有效质量自由电子近似下,用散射矩阵方法计算了两端非绝热连接正常导体电极的弱D resselhaus自旋轨道耦合量子线的自旋电导.结果表明,由于Dresselhaus自旋轨道耦合作用,系统量子化电导平台在子带边缘呈振荡特性,并依赖于自旋轨道耦合强度与电极中的传播通道数以及量子线长度.
- 段子刚付喜周光辉
- 关键词：量子线
