国家高技术研究发展计划(2010AA03A337)
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 相关作者：张浩张建华张志林蒋雪茵李俊更多>>
- 相关机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高被引量：4
- 2011年
- 制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。
- 张浩张良李俊蒋雪茵张志林张建华
- 关键词：薄膜晶体管ZNO稳定性退火
- N_2O Plasma表面处理对SiN_x基IGZO-TFT性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2.V-1.s-1增加至8.1 cm2.V-1.s-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。
- 李俊周帆林华平张浩张建华蒋雪茵张志林
- 关键词：INGAZNON2O
- 碳酸铯修饰Al作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件被引量：5
- 2012年
- 以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明,Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg∶Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明,以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg∶Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果。因此,除去微腔效应外,Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。
- 张浩王立容佳玲曹进张志林蒋雪茵张建华
- 关键词：有机电致发光电子注入
