国家重点基础研究发展计划(G1998061404)
- 作品数：18 被引量：77H指数：6
- 相关作者：陆卫沈学础陈效双李志锋徐文兰更多>>
- 相关机构：中国科学院复旦大学温州师范学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究被引量：14
- 2004年
- 在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压特性和对零偏微分电阻R0 分析 ,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系 .在另一片薄膜材料(镉组分值为 0 2 74 3)上通过该方法获得R0
- 陈贵宾陆卫蔡炜颖李志锋陈效双胡晓宁何力沈学础
- 关键词：碲镉汞薄膜红外探测器离子注入分子束外延P-N结
- "神舟3号"上生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究
- 2005年
- 用显微荧光(μPL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdZnTe晶片中Zn组分分布的研究。对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度参数Eg,其分布对应于CdZnTe中Zn的组分分布。测量结果给出了空间生长品片Zn组分布的变化趋势和统计规律.作为比较,测量并分析了一块采用相同方法在地面生长的CdZnTe 晶片。
- 刘劼李志锋沈杰林杏朝刘诗嘉龚海梅
- 关键词：CDZNTE
- 半导体和铁电体集成体系晶格振动
- 2002年
- 用实空间方法,借助一维模型研究了铁电体和半导体集成体系的晶格振动行为,讨论了一维链表面模、界面模,长程作用下的布里渊区边界模等的振动特性,解释了ＧａＡｓ/ＳｒＴｉＯ３体系的拉曼谱图．
- 徐文兰李志峰陆卫
- 多近邻作用双原子链和一维铁电体晶格振动被引量：6
- 2000年
- 用实空间方法研究了多近邻作用双原子链的晶格振动行为 ,该模型是铁电体的最简单近似 .研究表明长程库仑力确实是铁电相变软模的重要起因 。
- 徐文兰陆卫
- 关键词：晶格振动
- 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究被引量：9
- 2003年
- 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 .质子注入剂量为 2× 10 1 5cm- 2 时R0 A达 3 12 .5Ω·cm2 ,低温热处理后达 490Ω·cm2 .
- 陈贵宾李志锋蔡炜颖何力胡晓宁陆卫沈学础
- 关键词：质子注入碲镉汞薄膜MBE
- Zn_(0.04)Cd_(0.96)Te中深能级的红外光电导谱研究被引量：2
- 2001年
- 应用红外光电导谱研究半绝缘 p型Zn0 .0 4 Cd0 .96Te中的深能级 ,在温度从 4.2到 16 5K范围内 ,观察到了位于0 .2 4,0 .34 ,0 .38,0 .47,0 .5 5和 0 .80eV处 6个光电导响应峰 .结合 4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果 。
- 袁先漳裴慧元陆卫李宁史国良方家熊沈学础
- 关键词：深能级碲锌镉
- 离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究被引量：8
- 2002年
- 采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .
- 陈贵宾陆卫缪中林李志锋蔡炜颖沈学础陈昌明朱德彰胡钧李明乾
- 关键词：离子注入半导体
- 组合材料芯片技术及其应用
- 2004年
- 组合材料芯片技术是用一系列掩膜在同一块基片上获得含不同参数单元样品面阵的方法 .文章介绍了它在量子阱特性、碲镉汞零偏电阻值、三元合金制备、半导体深能级捕获截面的研究以及在波分复用器件、滤光片式分光元件制作方面的一些新应用 .作为一种新的材料功能操控或制备技术 ,它在研究材料性质变化规律、建立材料性能数据库、筛选优良材料和制作面阵型元件等方面表现出高效。
- 徐文兰陆卫
- 关键词：芯片技术掩膜
- 超长波GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器光电流谱特性研究被引量：10
- 2003年
- 研究了响应波长在 15 μm附近的超长波GaAs AlGaAs量子阱红外探测器在不同外加偏压下的光电流谱特性 .光电流谱上的两个主要由于阱宽随机涨落而呈现为高斯线形的响应峰被分别指认为量子阱基态E0 到第一激发态E1 和第三激发态E3的跃迁 .跃迁峰随着器件上外加偏压的增大而出现线性红移现象 ,认为这种变化起源于激发态与基态对量子阱结构中势变化敏感性的不同 ,采用传输矩阵方法并考虑到电子交互作用修正进行的理论计算在定量上解释了实验结果 .
- 袁先漳陆卫李宁陈效双沈学础资剑
- 关键词：GAAS/ALGAAS量子阱红外探测器超长波
- Ga As纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究被引量：1
- 2003年
- 采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达 1 9.0 %.光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2 分子的形式存在于复合薄膜中.
- 陈贵宾姚伟国吴雪梅王少伟陆卫沈学础
- 关键词：磁控共溅射光电子能谱
