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掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备被引量：2: 2004年; 简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。; 黄开玉李国卿柳翠高景生宋琦王丽阁; 关键词：掺铒 AL2O3薄膜光致发光磁控溅射

中频磁控溅射沉积DLC/TiAlN复合薄膜的结构与性能研究被引量：5: 2008年; 采用中频非平衡磁控溅射沉积工艺,并施加霍尔离子源辅助沉积,在高速钢W18Cr4V及单晶硅基体上制备了梯度过渡的DLC/TiAlN复合薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、显微硬度计、摩擦磨损仪等分析检测仪器对DLC/TiAlN复合薄膜的表面形貌、晶体结构、显微硬度、耐磨性等性能进行了检测分析。实验及分析结果表明:DLC/TiAlN薄膜平均膜厚为1.1μm,由于薄膜中的Al含量较多,使得复合薄膜的表面比DLC薄膜的表面要粗糙一些;通过对复合薄膜表层的XPS分析可知,ID/IG为2.63。由XPS深层剖析可知,DLC/TiAlN薄膜表层结构与DLC薄膜基本相同,里层则与TiAlN薄膜相似。在梯度过渡膜中,复合膜层之间的界面呈现为渐变过程,结合的非常好。DLC/TiAlN薄膜的显微硬度为2030 HV左右。与DLC薄膜显微硬度接近,低于TiAlN薄膜的显微硬度。但是DLC/TiAlN薄膜的耐磨性要好于TiAlN薄膜和DLC薄膜;DLC/TiAlN薄膜的耐腐蚀性能略好于DLC薄膜。; 张以忱巴德纯于大洋马胜歌; 关键词：TIALN薄膜 DLC薄膜非平衡磁控溅射

脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜被引量：7: 2005年; 用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。; 马青松马胜利徐可为; 关键词：复杂型腔

钛离子注入类金刚石碳膜的结构与性能的研究被引量：15: 2005年; 使用金属离子注入的方法制备了 Ti掺杂的DLC膜。采用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,Ti掺杂后 DLC 膜的表面粗糙度明显减小,表面光洁度增加,颗粒细化。拉曼光谱分析表明实验获得的薄膜是典型的DLC膜,掺杂Ti后的 DLC膜的拉曼光谱存在明显的肩峰,DLC膜化学结构中的sp2 组分增加,sp3 组分减少。透射电子显微镜分析表明Ti注入后有TiC纳米晶形成。掺入Ti的 DLC膜的硬度从 14GPa增加到 20GPa。Ti 掺杂后的 DLC 膜的摩擦系数(0.15)明显低于未掺杂的DLC膜的摩擦系数(0.21),Ti离子注入有助于提高薄膜的抗磨损性。; 柳翠苟伟牟宗信李国卿; 关键词：无机非金属材料类金刚石碳膜

中频非平衡磁控溅射制备TiN膜: 采用中频非平衡磁控溅射技术在奥氏体不锈钢316L基底上沉积TiN薄膜。利用X射线衍射仪、轮廓仪、扫描电子显微镜和分光光度计分别对所制备的TiN膜的相结构、粗糙度、厚度、表面形貌和颜色进行分析测试,并且与传统技术电弧离子镀...; 周祎马胜歌张德元张以忱耿漫吴宇峰; 关键词：TIN膜电弧离子镀; 文献传递

工艺参数对中频非平衡磁控溅射制备TiN膜性能的影响: 采用中频非平衡磁控溅射工艺,在316L不锈钢基体上制备氮化钛膜层。通过改变工作气氛、偏压模式以及溅射功率制备了一系列试样。分别利用分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和纳米力学综合测试仪等分析仪器对制备的试样进行分析...; 吴宇峰马胜歌张德元张以忱耿漫周; 关键词：非平衡磁控溅射氮化钛脉冲偏压; 文献传递

柱弧离子镀和非平衡磁控溅射镀制备Ti-N-C黑色硬质膜: 2007年; 采用柱弧离子镀和中频孪生靶非平衡磁控溅射镀膜技术制备了Ti-N-C多层复合黑色硬质膜。采用轮廊仪扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、显微硬度计等手段研究了所得膜层的各项性能。结果表明,两种工艺都可以获得颜色较深的黑色硬质膜,柱弧离子镀制备黑色硬质膜的效率高、力学性能更好;中频孪生靶非平衡磁控溅射制备的黑色硬质膜表面光滑、颜色更深。; 马胜歌康光宇; 关键词：非平衡磁控溅射

脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti-Si-N纳米薄膜的摩擦磨损特性被引量：11: 2003年; 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCr15钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%～35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7～50nm;Ti-Si-N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松.; 马大衍王昕马胜利徐可为徐洮; 关键词：摩擦磨损性能

纳米复合Ti-B-N薄膜的结构和摩擦学性能被引量：4: 2005年; 研究了射频等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术获得的Ti-B-N薄膜的组织结构和力学性能。结果发现,B元素的加入使薄膜中出现TiN纳米晶和BN非晶(nc-TiN/a-BN)的复合结构,其硬度显著高于TiN薄膜,最高可达40GPa。用球盘式摩擦磨损实验考察了薄膜的磨损特性。结果表明:与TiN薄膜相比,Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高,磨损机制与TiN薄膜不同,摩擦系数较TiN稍高。; 马大衍马胜利徐可为刘维民S.Veprek; 关键词：PCVD 耐磨性

TiN基纳米复合超硬薄膜的摩擦磨损特性被引量：14: 2004年; 分别用磁控溅射、脉冲直流和射频等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术得到了TiN、TiSiN、TiBN及Ti-C-N纳米复合超硬薄膜。用球盘式摩擦磨损试验考察了各种薄膜的磨损特性。结果表明此类纳米复合超硬薄膜的抗磨损性能比单纯的TiN薄膜有显著提高,但复合薄膜的室温摩擦因数较高,高温下摩擦因数也仅有轻微降低,可能由于表层生成减摩氧化层所致。特别对于TiSiN薄膜,随薄膜中Si含量的上升,其耐磨损性能有所下降。; 马大衍马胜利徐可为; 关键词：TIN 纳米摩擦磨损特性

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