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化学腐蚀法制备发光硅纳米颗粒被引量：2: 2011年; 用硝酸和氢氟酸的混合酸液腐蚀普通硅粉,经过超声空化作用,分别在去离子水、无水乙醇中制备出硅纳米晶颗粒.硅纳米颗粒的平均粒径约为2 nm,它们或单独存在,或包裹于非晶态物质中.在320 nm的光激发下,硅纳米颗粒的悬浮液在390 nm处呈现一明显的紫外发光峰,理论分析证明该发光峰与硅量子点的量子限制效应有关.; 吴悦迪朱骏刘红飞陈海涛陈小兵; 关键词：硅纳米晶化学腐蚀光致发光量子限制效应

Improved carrier injection and confinement in InGaN light-emitting diodes containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers被引量：2: 2018年; In this study, an InGaN lighting-emitting diode(LED) containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers is proposed and investigated numerically. The simulation results of output performance, carrier concentration, and radiative recombination rate indicate that the proposed LED has a higher output power and an internal quantum efficiency, and a lower efficiency droop than the LED containing conventional GaN or AlGaN barriers. These improvements mainly arise from the modified energy bands, which is evidenced by analyzing the LED energy band diagram and electrostatic field near the active region.The modified energy bands effectively improve carrier injection and confinement, which significantly reduces electron leakage and increases the rate of radiative recombination in the quantum wells.; 程立文马剑曹常锐徐作政兰天杨金彭陈海涛于洪岩吴曙东尧舜曾祥华徐仔全

ZnS纳米材料的光致发光和光催化性能被引量：2: 2011年; 利用水热法制备ZnS纳米材料,通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜术（SEM）、光致发光（PL）对ZnS的结构及其物理性质进行研究,同时探讨退火对样品性能的影响.通过光谱分析发现,在400~650 nm附近有525 nm左右的绿光发射峰,该峰峰强随ZnS前驱体溶液中n（Zn（CH3COO）2）/n（（NH2）2CS）的增加而明显减弱,从不同比例样品的对比可以得出525 nm处的绿光发射峰是由ZnS纳米结构中的锌空位而引起.制备的ZnS纳米颗粒有良好的光催化效果.对样品进行高温退火处理,发现样品退火后结晶度升高,PL绿光发射峰峰强明显降低,催化性能也从50%上升到70%,说明高温退火能有效修复ZnS纳米颗粒在制备过程中由于浓度不均而引起的锌空位.; 胡益培陈海涛曾祥华金豫浙李建华; 关键词：硫化锌水热法光致发光光催化退火

大功率全方位反射镜发光二极管性能研究: 2011年; 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱全方位反射镜(ODR)发光二极管(LED)的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR芯片比普通芯片的光强提高了244mcd,极大提高了发光强度;ODRLED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04%,5.74%,78.64%.ODRLED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1804K,明显改善大功率LED的色温缺陷.; 董雅娟张俊兵陈海涛曾祥华; 关键词：发光二极管 ODR

激光二极管抽运的Nd:YVO_4连续自拉曼1175nm激光器被引量：2: 2014年; 报道了采用激光二极管端面抽运的Nd:YVO4晶体连续自拉曼激光器的实验研究.通过对晶体掺杂浓度及晶体结构的选择优化,减轻自拉曼晶体的热效应,实现了结构紧凑的1175 nm连续自拉曼激光器的高效运转.最终以两端键合的复合Nd:YVO4晶体作为自拉曼介质,在25.5 W的抽运功率下,获得了最高3.4 W的1175 nm连续拉曼光输出,光光转换效率为13.3%,拉曼阈值低至2.21 W,斜效率为14.6%.; 樊莉陈海涛朱骏; 关键词：ND YVO4晶体复合晶体

发光二极管芯片侧面倾角对光萃取效率的影响: 2013年; 通过TracePro光学仿真软件的模拟仿真,研究了不同侧面倾角对LED芯片光萃取效率的影响。建立了侧面倾角为0°、15°、30°以及45°,边长为300μm正方形LED芯片模型;并对其进行光输出仿真。结果表明改变LED芯片侧面倾角可以提高其光萃取效率。当LED的侧面倾角从0°增加到45°时,光萃取效率呈现先增加,后减小的规律。在侧面倾角为30°时,光萃取效率最大,为20.6%;与垂直侧面LED相比,增加约13.2%。; 杨义军胡珊朱骏; 关键词：发光二极管(LED)TRACEPRO

LD端面抽运1.1x μm全固态连续拉曼激光器: 2014年; 报道了采用LD端面抽运的BaWO4晶体内腔式连续拉曼激光器和复合YVO4晶体连续自拉曼激光器的实验研究。考虑了激光晶体的热效应,采用等效G参数法计算了谐振腔内的腔模参数,从谐振腔结构、泵浦光斑大小以及晶体的选择方面对激光器系统进行了优化设计,对不同腔结构的全固态连续拉曼激光器的性能进行了研究。选用拉曼增益高、热性能较好的BaWO4晶体作为拉曼介质,实现了LD端面泵浦Nd:YVO4/BaWO4内腔式、低阈值、高效率和高功率的拉曼激光在1 180nm的连续运转。在25.5 W的泵浦功率下,获得了3.36W的1 180nm连续拉曼光输出,光光转换效率为13.2%,斜效率为15.3%,拉曼阈值为3.6 W。通过选用复合晶体作为自拉曼介质使连续拉曼激光器的热效应显著改善,实现了LD端面泵浦连续自拉曼激光器在1 175nm的高效运转。在25.5W的泵浦功率下,获得了最高3.4W的1 175nm连续拉曼光输出,光-光转换效率为13.3%,拉曼阈值降低至2.21W,斜效率为14.6%。; 樊莉陈海涛朱骏

不同四边形LED芯片光萃取效率仿真研究: 2013年; 用Trace Pro光学仿真软件,研究了面积相同的正方形、长方形、菱形和梯形等4种四边形GaN基蓝光发光二极管(LED)芯片的光萃取效率。仿真结果表明在相同芯片面积(0.3 mm×0.3 mm),相同发光功率(0.2 W)的情况下,正方形,长方形,菱形,梯形的LED芯片的光萃取效率分别为18.2%,18.1%,19.7%,20.2%。这表明不同的芯片形状对LED的光萃取效率影响显著。梯形芯片与通常使用的正方形芯片相比,光萃取效率提高约11.0%。这种提高LED光萃取效率的方法具有不改变LED制程过程,对生产成本与成品率没有影响的优点。; 杨义军胡珊朱骏; 关键词：发光二极管 TRACE PRO 四边形

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国家自然科学基金(11004170)