国家高技术研究发展计划(2002AA715081)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：张德贤蔡宏琨孙云齐龙茵冯凯更多>>
- 相关机构：南开大学天津师范大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学动力工程及工程热物理更多>>
- 硼掺杂对a-Si薄膜电导率及太阳电池效率的影响被引量：2
- 2003年
- 对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究。结果表明:当B2H6/SiH4由0.6%增加到0.8%时,a Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω·cm)-1急剧增加到10-1(Ω·cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0%时,暗电导率急剧下降。对B2H6/SiH4为1.0%及1.2%的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2%的光电转换效率优于1.0%。
- 林列蔡宏琨张德贤孙云郝延明
- 关键词：硼掺杂非晶硅薄膜太阳电池光电转换效率
- P型微晶硅薄膜材料性能的研究被引量：3
- 2006年
- 本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化。采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。
- 蔡宏琨张德贤冯凯齐龙茵王雅欣孙云
- 关键词：太阳电池微晶硅非晶硅
- 柔性衬底硅基薄膜太阳电池阻挡层的研究
- 2006年
- 研究了不同厚度的ZnO阻挡层对柔性衬底倒结构太阳电池的性能及均匀性的影响。在此基础上,使用金属镍(Ni)代替ZnO作为背电极和硅基薄膜之间的阻挡层,改善了太阳电池的均匀性。在聚酰亚胺柔性衬底上采用PECVD法制备出了面积为4cm×4cm、重量比功率超过200W/kg的倒结构硅基薄膜太阳电池。
- 蔡宏琨张德贤冯凯齐龙茵宁豪王雅欣窦伟山孙云
- 关键词：太阳电池
