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低对称畸变和畸变晶场参量: 2012年; 根据畸变晶场参量的定义,推导了四配位和六配位两种情况下的三角畸变和四角畸变的晶场畸变参量公式,并运用所得的畸变参量公式,讨论了晶体结构畸变对畸变参量正负符号的影响.结果表明:当晶体畸变时,畸变晶场参量符号的变化与畸变的方式(晶体结构沿着对称轴被拉伸和压缩)和配体个数有关.; 李东阳杜懋陆; 关键词：晶体场

ZnGa_2Se_4:V^(3+)光谱的理论研究: 2014年; 应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响,因此不能忽略.; 李东阳杜懋陆; 关键词：光谱

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