国家自然科学基金(29683001)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 激光烧蚀La-Ca-Mn-O反应产物的角分辨和时间分辨质谱研究被引量：3
- 1998年
- 研究了 5 32nm脉冲激光烧蚀La2 O3 CaO MnO2 混合氧化物的反应 .在较高的激光能量密度下 ,烧蚀反应生成了高平动能的La ,Ca和Mn的离子、原子以及多种不同价态的金属氧化物 .由时间分辨质谱测得的飞行时间谱可用带质心速度的Maxwell Boltzmann分布拟合 ,并由此得出Mn+离子的最可几平动能为 6 34eV ,Mn原子的最可几平动能为 0 .43eV .对烧蚀产物的角分布测定表明 ,Mn+离子的角分布可用cosnθ描述 ,而Mn原子的角分布遵循acosθ + ( 1 -a)cosnθ公式 .同时 ,对La Ca Mn O的激光烧蚀反应机理进行了讨论 .
- 党海军韩镇辉秦启宗
- 关键词：脉冲激光烧蚀飞行时间质谱
- 脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究
- 1998年
- Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。
- 张胜坤付正文柯炼秦启宗陆昉王迅
- 关键词：脉冲激光沉积电学性质DLTS
- 脉冲激光沉积TiO_2薄膜的I-V和C-V被引量：5
- 1998年
- 报道了使用 355nm激光烧蚀金属钛在 p Si基片上反应性沉积TiO2 薄膜 ,并对Al/TiO2 /Si电容器的C_V和I_V特性进行了测量 .结果表明经过 70 0℃退火处理的薄膜具有高的介电常数 4 6 .慢界面陷阱密度和在Si禁带中央处的界面陷阱密度分别估计为 1 8× 10 1 2 cm-2 和 2× 10 1 2 eV-1 ·cm-2 .此外 ,讨论了薄膜的导电机制 .
- 傅正文周鸣飞张胜坤陈良尧秦启宗
- 关键词：脉冲激光沉积电学性能介电性能
